Wang_yf_的博客

晶振负载电容外匹配电容计算与晶振振荡电路设计经验总结转自：http://www.sohu.com/a/230413766_629440对应MCU、ROMan">WiFi或USB HUB一般需外部提供时钟信号，需要外挂一颗晶振，常有客户问到，如何结合晶振的负载电容计算外匹配电容容值以及在晶振振荡电路设计时需注意哪些事项，所以小编对此做一个归纳总结，如有不正确之处，欢迎指正。（1）...

方案优点：用于室外的100M网口浪涌保护，本方案采用二级防护,可靠工作，保证信号高温完整性，满足IEC61000-4-2，等级4，接触放电30kV，空气放电30kV。IEC61000-4-5 10/700μs，40Ω，6kV，±5次,千兆网口拓展4个端口即可。雷卯专注于EMC电磁兼容以及防雷防静电市场，有专业防雷防静电和汽车级测试实验室。免费为广大客户服务。欢迎联系胡工...

参考链接：http://blog.chinaunix1、图纸结构 图纸包括两种结构关系： 一种是层次式图纸，该连接关系是纵向的，也就是某一层次的图纸只能和相邻的上级或下级有关系；另一种是扁平式图纸，该连接关系是横向的，任何两张图纸之间都可以建立信号连接。2、网络连接方式 Altium Designer提供了6类网络标识：Net Label(网络标号)，Port(端口...

当你使用 3.3V 的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到 3.3 转 5V 或者 5V 转 3.3V 的情 况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!). 电路十分简单,仅由 3 个电阻加一个 MOS 管构成,电路图如下:...

转自：http://www.q-crystal.com.cn/Index/fqanews/180.html我们在观察晶体振荡电路时，通常会看到这么几个电子元器件，晶振和晶振两旁的电容。电容一端接地，一端接晶振。还有就是两个电阻，一个是跨接在晶振两端，一个接在晶振的输出端，同芯片相连。旁接的电容我们都知道叫匹配电容，它们的大小可以改变振荡电路的频率，通过试验就可以观察的到。而两个分别串并得电阻各...

http://bbs.elecfans.com/jishu_568846_1_1.html这部分原理比较简单，主要是楼主对本安认证的要求与过程不那么熟悉。我这里概要讲一下：1、电芯输出端保险丝F3、限流电阻R16是短路保护和限制短路电流的器件，是必须要用的。2、R7、Q7、Q3、R9、D3是过电流保护，电流通过取样电阻R7两端的压降来调节Q7的导通角，从而使Q3的基极电压高低变化，使得通过...

参考链接：http://www.sohu.com/a/132423538_463982https://wenku.baidu.com/view/e1c78a431711cc7930b7160e.htmlhttp://www.ddqcw.com/home/space-142748-do-blog-id-14736.html从接口端开始：1，气体放电管。用于泄放高压大电流。但是放电...

多数情况下，在不考虑容量和耐压时钽电解可以替换铝电解，但在耐受瞬态尖峰过压和瞬态大电流放电方面，钽电解不及铝电解，某些场合下的一些变通用法，会使电容两端施加小幅反向电压，钽电解也不可以这样。 滤波用钽电容好 耦合的话尽量用铝电解 “滤波用钽电容好”的说法不一定正确，要看场合 钽电容具有较大的ESR（串连等效电阻）值，瞬态大电流放电特性因而不佳，用于电源的主滤波是不

阴阳极是对电解（池）而言的，正负极是对原电池而言的。 正极是电子流入的极，负极是电子流出的极，阴极是发生还原反应极，阳极是发生氧化反应的极。 阳极与电源正极相连，发生氧化反应，元素失电子，化合价升高；阴极与电源负极相连，发生还原反应，元素得电子，化合价降低。

硬件注意问题

1，N沟道增强型场效应管防接反电路 其中Q1为主要器件，利用MOS管开关特性实现防反接，当VCCin为正时，经过R1,R2的分压，MOS管G极为正，DS极导通，实现电路正常工作。通常使用MOS管电流流向都是从D流入，S流出，但是有人说当DS导通时候，电流方向不做约束。后期需要验证。 对于电路中稳压二极管就是起一个保护场效应管防止击穿的作用，MOS管内阻大，电源拨动