防反接电路

1，N沟道增强型场效应管防接反电路

其中Q1为主要器件，利用MOS管开关特性实现防反接，当VCCin为正时，经过R1,R2的分压，MOS管G极为正，DS极导通，实现电路正常工作。通常使用MOS管电流流向都是从D流入，S流出，但是有人说当DS导通时候，电流方向不做约束。后期需要验证。
对于电路中稳压二极管就是起一个保护场效应管防止击穿的作用，MOS管内阻大，电源拨动会完全加载到MOS管上，所以通过稳压管稳压防止MOS管被击穿。C1用于防止电压激变，通常104电容就行。
优点：DS电阻小，功耗低。
缺点：成本高，电路复杂。