CPU 工艺与发热量关系

尽管在嵌入式方向上越走越远，但俺永远是集成电路设计毕业的学生。最近讨论单核和多核手机，一阵狂喷，总结如下：

 

 

在集成电路设计制造的过程中，有一条重要的指标就是“宽长比”，就是晶体管栅极的宽度和长度的比。栅宽越小，晶体管驱动性越好，驱动电压越低，也就导致处理器内部核心电压降低，功耗降低，发热也降低。这样的处理器，更适合在高频下工作。现在32nm的桌面处理器，主频普遍在3.0GHz以上。特征尺寸越小，处理器的电气性越好，也更适合超频。只有功率下降、驱动电压下降，在这样的前提下，才可能进一步提升处理器的频率。可以说，每一代工艺的发展，都为处理器的频率提升争取了空间。也为多模块集成，减小延迟做了基础。
随着特征尺寸的缩小，晶体管体积成比例缩小，在和以往同样的晶圆面积上，可以集成更多的晶体管，这样，提高了单晶圆上芯片产量，使生产成本降低。
不过，特征尺寸的缩小也不是没有坏处。从45nm工艺开始，由于栅极厚度也随之减小，栅极漏电流已经无法忽视。所以，从45nm工艺开始，引入了HKMG技术，提高栅极下绝缘层的绝缘性，解决漏电流。所以，HKMG技术的成熟程度也影响了新工艺芯片的性能。此处省略一万字。-------22纳米。

 

总之：cpu的发热量直接看其功率即可。不把手机当游戏机的话，单核就挺好的。