继电器的保护二极管如何选择

继电器在实际应用中,通常都会使用三极管或MOS管控制,其最基本的应用电路如图:

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那为什么要在继电器线圈上并联一个二极管呢?我们可以看看没有并联二极管时电路会出现什么情况,我们使用下图所示的电路参数仿真一下:
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其中,L1相当于电磁继电器中的线圈,当开关进行闭合与断开动作时,其波形如下图所示:
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当开关闭合时,电压波形还是正常的,但是当开关断开的一瞬间,电感将产生很高的电压,远远超过了电源电压值(上图中的峰值未完全显示),普通的电磁继电器使用3904或8050之类的通用三极管就完全可以驱动了,其集电极-发射极最高耐压值也就几十伏。
当控制开关断开的瞬间,由于电感中的电流不能突变,将会产生上负下正极性的反向电动势,如下图所示:
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这个反向电动势的峰值就非常高,三极管的集电极将承受电源电压VCC与电感反向电动势串联的高压VL(相当于升压电路),此时电路如下图所示:
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这时三极管Q1集电极的承受的电压为VCC+VL,很有可能超过三极管的集电极-发射极极限电压VCEO而击穿三极管,因此,我们可以在线圈两端并联一个二极管再仿真一下,如下图所示:
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其电压波形如下图所示:
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开关管断开瞬间的反向电动势有了一些改善,但反向电动势还是非常高,其实二极管并联是没有错的,只不过型号不是很适合。普通二极管的单向导电特性取决于P型半导体与N型半导体接触形成的PN结,由于结电容的存在,反应时间并不太短,开关断开的瞬间,二极管还来不及导通,相当于没有接二极管一样。
肖特基二极管(也称肖特基势垒二极管,Schottky Barrier Diode,SBD)的单向导电性是由金属与半导体接触形成的,它的特点是开关速度快,我们用肖特基二极管替换后再重新仿真一下,如下图所示:
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其波形如下图所示:
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其实瞬间还是有一点点的反向电压,但已经控制在可以接受的范围内了,由于并联的二极管主要用来防止开关断开瞬间电感电流产生突变,也称之为续流二极管。
所以继电器的保护二极管应该选择肖特基二极管。

### 继电器保护电路中肖特基二极管的设计方案与原理 在继电器保护电路设计中,肖特基二极管被广泛用于吸收继电器线圈断电瞬间产生的反电动势。这种设计方案的核心在于防止因感应回路而引发的电压尖峰损坏驱动元件或其他关联设备。 #### 工作原理 当继电器线圈通电时,电流通过线圈建立磁场;而在切断电源时,由于电磁感应定律的作用,线圈会产生一个高幅值的反向电压(称为反电动势)。如果不加以处理,该高压可能击穿开关器件或造成其他电气干扰。因此,在继电器线圈两端并联一个续流二极管成为常见的解决方案[^1]。 具体来说,肖特基二极管因其低正向压降和快速恢复时间的特点特别适合此应用场景。其连接方式如下: - **肖特基二极管的负极应接到继电器线圈的正极端**; - **肖特基二极管的正极则需连到继电器线圈的负极端**。 尽管如此,这里需要注意的是,虽然表面上看像是利用了二极管的反向阻隔能力来阻止正常工作状态下的电流泄漏,但实际上它是基于二极管单向导通特性工作的——即仅允许特定方向上的电流流动以释放存储能量。 #### 实现方法 以下是采用肖特基二极管作为续流路径的一个典型实现例子: ```circuitikz \begin{circuitikz}[scale=0.8] \draw (0,0) to[battery,l=$V_{cc}$] (0,2); \draw (0,2) -- (2,2); \draw (2,2) to[R,l_=$R$,*-*] (4,2); \draw (4,2) node[right]{Switch}; \draw (2,2) to[short,-*] (2,3.5); \draw (2,3.5) to[L,l_=$L$,i>^=$I_L(t)$] (4,3.5); \draw (4,3.5) to[D*,l_=\text{Schottky}] (6,3.5); \draw (6,3.5) to[short] (6,2); \draw (6,2) -- (4,2); \draw (0,0) -- (6,0); \draw (6,0) -- (6,2); \end{circuitikz} ``` 上述图解展示了如何布置肖特基二极管以及它在线路上的位置关系。其中,“D*”代表所使用的肖特基二极管符号,标注有“Schottky”。 #### 关键优势分析 使用肖特基二极管代替普通硅整流二极管的主要优点包括但不限于以下几个方面: - 更高的效率源于更低的前向电压损耗; - 减少了热耗散从而提升了整体系统的可靠性; - 较短的开启延迟有助于更迅速地响应瞬态事件。 综上所述,合理选用并正确安装肖特基二极管可以有效构建稳健可靠的继电器保护机制,保障整个电子装置的安全稳定运行。
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