计组存储系统学习总结

半导体存储器

基本结构

• 存储矩阵：大量的存储单元排列而成
• 译码器：将来自地址总线的地址信号翻译为对应的选通信号
• 读写电路：包含放大器和写入电路，与译码器配合完成对于选中单元的读写操作
• 片选线：确定存储芯片
• 地址线：单向输入，位数与每个存储芯片中的存储字个数相关
• 数据线：双向传输数据，位数与读入与写出的数据位数相关

静态随机存储器（SRAM）

信息读出后其保持原态不需要再生（非破坏性读出）。但是电源切断后保存的信息会丢失，属于易失性存储器

特点

• 存取速度快
• 集成度低
• 功耗大
• 一般用于高速缓冲存储器

动态随机存储器（DRAM）

DRAM通过存储元电路中的电容来存储信息。DRAM上的电荷一般只能维持1-2ms，即使不断电，信息也会自动丢失。因此需要每隔一定时间刷新（一般取2ms），成为刷新周期

DRAM采用地址复用技术地址线为原来的1/2，地址信号分为行列两次传送

特点

• 存取速度比SRAM慢
• 容易集成
• 功耗低
• 容量大

刷新方式

• 集中刷新：每一个刷新周期内，利用一段固定时间依次对存储器内所有行进行逐行再生。此期间停止对存储器的读写操作，称为“死时间”，又称访存“死区”
• 分散刷新：每行的刷新分散到各个工作周期中。这样一个存储器的系统工作周期分为2部分，一部分负责正常读取操作，后半部分用于某一行的刷新。这种方式增加了系统的存储周期降低了整机的速度，但优点是没有死区。
• 异步刷新：集中刷新和分散刷新的结合。既缩短了“死时间”又能充分利用最大刷新间隔。通过 最大刷新周期/行数=t 每隔时间t进行一次刷新请求。既避免了cpu连续等待时间过长，而且减少了刷新次数
• 透明刷新：将刷新安排在不需要访存的译码阶段，既不会增加存取周期也不会产生“死时间”。这是分散刷新新方式的发展

只读存储器（ROM）

ROM与RAM都支持随机存取。RAM为易失性存储器，ROM中一旦有了信息，就不能轻易改变，即使断电也不会丢失。

特点

• 结构简单，所以位密度比可读写存储器高
• 具有非易失性，可靠性高

ROM类型

• 掩模式只读存储器
• 一次性可编程只读存储器
• 可擦除可编程只读存储器
• 闪存
• 固态硬盘

主存储器与CPU

主存容量扩展

• 位扩展：扩展每个字的位数