让微波射频工程师颤抖的芯片-MATRICs

概述

《Broadband Reconfigurable Transceivers in SiGe》¹是篇介绍BAE系统公司开发的名为MATRICs^TM（Microwave Array Technology for
Reconfigurable Integrated Circuits）芯片的文章，作者是来自该公司FAST Labs Hardware Engineering团队的Gregory M. Flewelling。

文章发表在2020年 IEEE BCICTS 会议上（BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium）。值得一提的是，这篇文章到目前为止在IEEE Xplore上仅有20多次全文浏览，并且没有一次被引用。但个人认为，如果你是一个微波射频工程师，这绝对是一篇值得关注的论文。

因为可以预计在未来的某一天，就会发现某款商用的SOC能够直接替代你花一年时间设计出来的射频子系统，并且价格只有十分之一甚至更低。就像数字硬件工程师看到Xilinx的RFSOC芯片以及综合器设计师看到TI的LM2594时的感觉。

芯片架构

该芯片是DARPA几年前RF-FPGA项目所资助研发的，前前后后开发了如图1所示的4个版本。

图1 先后4个版本的MATRICs^TM ¹

该芯片采用的是Tower Semiconductor 公司SBC13S4B 180nm SiGe-on-SOI BiCMOS工艺，在8mm✖10mm的芯片面积上实现了整个工作频率覆盖DC-40GHz的收发器。

图2所示是文献¹中所介绍的V4，从图2架构来看，芯片内部通过SOI FET开关构成可切换和重构的网格，在不同的子模块间进行射频信号的切换，从而实现整个射频SOC芯片的功能重构。

该芯片主要包括4个DC-40GHz的微波模块（MW，Microwave Block），四个DC-6GHz的射频/基带模块（RF/BB，RF/Baseband Block），4个1MHz-20GHz的可配置频率发生器（CFG，Configurable Freqeuncy Generator）。具体模块设计可参见该芯片早先版本的文章。^{2 3}

射频系统所包含的放大、滤波、变频和本振等功能都包含在该SOC上，同时还集成了数字控制和状态存储功能，芯片上的每个模块都有50-100个控制位，能够对主要技术指标中心频率、增益、带宽和动态范围进行重构。

在片的射频传输均采用100欧姆的差分接地共面波导CPW传输线，得益于SOI基板的高阻特性，片上能够实现大于80dB的隔离。同时由于采用了SOI工艺，能够实现较高的线性度。

图2 MATRICs^TM自适应收发器的系统框图¹

性能指标

由于文中并没有给出完整的指标列表，只是零零散散的散落在文中的各个部分，整理提到的列出如下。

1）射频工作频率：DC-40GHz；
2）输出频率：I/Q零中频；
3）输出瞬时带宽：5MHz-4GHz可调；
3）输入IIP3：由于10dBm；
4）片上收发隔离：大于80dBc；

从⁴这篇网文看到了详细的技术指标，引用如图3所示。

图3 MATRICs^TM详细的技术指标⁴

关键技术

从传统设计的角度看，实现上述技术指标的难度在于各级复杂的滤波，而无源滤波形式较多尺寸较大，很难进行单片集成。那么问题来了，MATRICs^TM到底是如何实现这些滤波器的呢？

问题的答案隐藏在近些年很热门的一种叫做N-path 滤波器的技术中，如图4所示。通过开关电容将I/Q基带的低通滤波器转换到射频域。

图4 4-path 滤波器结构框图¹

该滤波器的带宽是由低通滤波器来确定的，而中心频率则由本振频率来确定，图5是这种滤波器可重构幅频特性的示例。

图5 4-path 滤波器的可调谐带宽¹

在N-path mixer中是一些按照本振频率控制通断的开关。N-path意味着将整个本振的周期分为N份，每份时间导通一个开关，也意味着每个控制信号是高频的窄脉冲，比如5GHz中心频率和8-path滤波器的窄脉冲是时间25ps。在常规的CMOS工艺中，这种脉冲很难实现。文中提到由于采用了SiGe HBT BiCMOS才实现了这一技术。

该技术不仅能获得较高的线性度，同时由于其射频直接混频的特性，以及可变滤波的特性，能够很好的滤除带外干扰，因此在通信领域研究很广泛。

该技术是实现DC-6GHz的射频/基带模块（RF/BB，RF/Baseband Block）的核心，结合I/Q两路可实现最大4GHz的瞬时带宽，图6显示了以1GHz频率步进从1GHz-7GHz扫频，宽带1.5GHz模式和窄带10MHz模式的测试结果。

图6 RF/BB可调谐频率和带宽¹

结语

虽然从图3所示的技术指标来看，该芯片能够实现的技术能力相比传统的设计没有特别明显的优势，但从成本和体积上来说却有几个数量级上的优势，因此这种技术路径确定会成为未来发展的趋势。

BAE系统公司在后续的开发中将MATRIC引入了阵列的实现，相关的论文后面再讨论…类似芯片的开发主要依赖相关工艺的支撑，也需要成熟的设计团队，不知道在3-5年内，能不能看到国产的类似产品？

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1. G. M. Flewelling, “Broadband Reconfigurable Transceivers in SiGe,” 2020 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), 2020, pp. 1-4, doi: 10.1109/BCICTS48439.2020.9392948. ↩︎ ↩︎ ↩︎ ↩︎ ↩︎ ↩︎ ↩︎

2. J. D. Cali, C. M. Grens, S. E. Turner, D. S. Jansen and L. J. Kushner, “20-GHz PLL-based configurable frequency generator in 180nm SiGe-on-SOI BiCMOS,” 2015 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2015, pp. 401-404, doi: 10.1109/RFIC.2015.7337790. ↩︎

3. L. J. Kushner et al., “The MATRICs RF-FPGA in 180nm SiGe-on-SOI BiCMOS,” 2015 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2015, pp. 283-286, doi: 10.1109/RFIC.2015.7337760. ↩︎

4. 射频|BAE系统公司演示“刺猬”地理定位能力，可重构集成电路用微波阵列技术（MATRIC）芯片提供支持 https://www.sohu.com/a/381526433_120051517 ↩︎ ↩︎