基于Pixel的可重构天线阵列1-单元仿真

技术背景

GTRI（Georgia Tech Research Institute）的Advanced Concepts Laboratory对这类基于Pixel的可重构天线阵列（如图1所示）有数十年的研究历史。
图1 基于Pixel的可重构天线阵列发展¹

简单来说，这类天线通过改变电磁辐射体的物理尺寸及电流分布来改变各种辐射特性，改变的方式主要是通过各类开关，开关的种类如图2所示可以分为四类：电子（Electrical）、光学（Optical）、结构（Structure）、材料（Material）。常见的MEMS、PIN和Varactors都属于电子类的开关。

由于开关的插入损耗、耐功率等性能将直接影响天线的辐射效率和发射功率，因此这个领域的前沿研究之一是采用更低损耗、更高截至频率的PCM (phase change material) 开关来实现高频工作的可重构电磁结构。不过到目前为止，公开文献还没有基于这种开关的可重构天线阵列工程实物报道。

图2 可重构电磁结构¹

图3为ACT项目的可重构天线阵列，工作频率可在一个倍频程内重构（4GHz-12GHz），具备带外抑制功能，同时可以实现极化切换（V，H，L，R，D，A极化），在高端频率12GHz布局大于半波长，同时可以实现±45°扫描。

图3 BAE公司和GTRI联合开发的ACT可重构阵列天线²

除了GTRI的研究团队，Daniel Rodrigo与Gurbuz, Ali Cafer等学者同样做出了不错的研究。Daniel Rodrigo的文献