本文探讨了杨氏模量在芯片封装翘曲问题中的作用，通过对比等效法和三段法处理杨氏模量对翘曲结果的影响，揭示了正确表征材料特性对仿真精度的重要性。实验结果显示，处理方法的不同可能导致52.6%的翘曲值差异，强调了精确输入材料参数的必要性。
随着技术的不断发展，芯片封装的集成度越来越高，尺寸也越来越大，随之而来的封装翘曲问题也越来越引起关注。目前达到的共识是：影响芯片封装翘曲最主要的原因就是封装中不同材料热膨胀系数（CTE）的失配性，但材料杨氏模量E对于封装翘曲同样有着不可忽视的影响，本文将对比不同杨氏模量的处理方法给仿真结果带来的影响。
本文以常用的FCCSP封装为例，为了能够更好的对比出不同杨氏模量的处理方法给翘曲结果带来的影响，将采用strip形式的封装，封装尺寸为240.5*95mm，温度载荷为175℃~25℃，模拟塑封材料固化的过程。封装模型及有限元网格如下：
封装中各材料参数如下表所示：
通常情况下，我们获得到的杨氏模量都如上
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