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在上面所述的回路中,电流环I1和I2共同共享了自开关节点→电感→输出电容→地→Q2的源极这一段路径。I1和I2合成起来后就形成了一个相对平缓、连续的锯齿状波形,由于其中不存在电流变化率dI/dt极高的边沿,其包含的高频成分就要少一些。
从电磁辐射的角度来看,图3中存在阴影的A1区域是存在高电流变化率dI/dt的回路部分,这个回路将生成最多的高频成分,因而在Buck转换器的EMI设计中是需要被重点考虑的最关键部分。图中A2区域的电流变化率dI/dt就没有A1区域的高,因而生成的高频噪声也就比较少。
当进行Buck转换器的PCB布局设计时,A1区域的面积就应当被设计得尽可能地小。关于这一点,可以参考第7章的PCB布局设计实战要点。
4. 输入和输出的滤波处理
在理想状况下,输入、输出电容对于Buck转换器的开关电流来说都具有极低的阻抗。但在实际上,电容都存在ESR和ESL,它们都增加了电容的阻抗,并且导致上面出现额外的高频电压跌落。这种电压跌落将在电源供应线路上和负载连接电路上形成相应的电流变化,见图4。
5. 降低转换器的开关切换速度
假如通过PCB布局和滤波设计的优化仍然不能让一个Buck转换电路的辐射水平低于需要的水平,那就只能在降低转换器的开关切换速度上想办法,这对降低其辐射水平是很有帮助的。
为了理解这能导致多大程度的改进,我们需要对不连续电流脉冲的高频成分进行一番探讨。图6左侧显示的是简化为梯形了的电流波形,其周期为TPERIOD,脉冲宽度为TW,脉冲上升/下降时间为TRISE。从频域来看此信号,其中含有基频成分和很多高次谐波成分,通过傅里叶分析可以知道这些高频成分的幅度和脉冲宽度、上升/下降时间之间的关系,这种关系被表现在图6的右侧。
这些寄生电容是由MOSFET的Coss和相对于基底之间的电容共同构成的,另外还有寄生电感存在于从IC引脚到晶圆内核之间的连接线上,这些寄生元件和PCB布局所导致的寄生电感与输入滤波电容上的ESL一起将导致开关切换波形上的高频振铃信号。当MOSFET Q1导通时,开关节点信号上升沿的振铃信号主要就由Q2的Coss和MOFET开关切换路径上的总寄生电感(LpVIN + LpGND+ LpLAYOUT + ESLCIN)导致。当MOFET Q1截止时,开关节点信号下降沿的振铃信号主要由Q1的Coss和下桥MOSFET源极到地之间的寄生电感(LpGND)导致。
图9显示了一个具有快速上升时间和下降时间的开关节点波形,其上升沿和下降沿都存在振铃信号。由于寄生电感中的储能等于½∙I2∙Lp,所以振铃信号的幅度将随负载电流的增加而增加。此