[IC]Lithograph(1)光刻技术分析与展望

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1.zol摩尔定律全靠它 CPU光刻技术分析与展望

2.wiki：Extreme ultraviolet lithography

3.ITRS 2012

1. 光刻技术组成和关键点

  ● 光刻技术的组成与关键点

　　光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

主要组成部分如下：

• 光源
  
  • 功率W
  • 波长$ \lambda $

• 光学透镜
  • 透射式透镜（248nm、193nm)
  • 反射式透镜（157nm）
• 掩膜版
  • 由透光的衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收层材料（主要是金属Cr）组成。
  • 通常要在表面淀积一层抗深紫外光损伤的增光型保护涂层

 　　　　

　　　　　　　　　　　　　　　图1.光刻技术的原理图

　　光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证：其一是大面积均匀曝光，在同一块硅片上同时做出大量器件和芯片，保证了批量化的生产水平；其二是图形线宽不断缩小，使用权集成度不断提高，生产成本持续下降；其三，由于线宽的缩小，器件的运行速度越来越快，使用权集成电路的性能不断提高。随着集成度的提高，光刻技术所面临的困难也越来越多。

光刻技术面临的困难与挑战
≥32纳米	内容概要
光学掩膜版图形分辨率加强技术的研发和后光学成像技术掩膜版的制造	控制图形的对准，线宽和缺陷，使用亚分辨率辅助图形技术；掌握曝光过程中缺陷的产生；制订193nm工艺平台上实现小于45纳米半间距线宽工艺图形所需掩膜版的放大倍率，并研发基于小像场使用的补偿模式；制造用于后光学成像技术的1倍五缺陷膜版
成本控制和投资回报	控制设备、工艺的投入产出比，制造成本可接受且适用的光学掩膜版和用于后光学成像技术的掩膜版；合理调配资源，杜绝浪费，研发450mm硅片生产设备
工艺控制	控制栅电极的线宽变化＜4nm，研发新的图形对准技术＜11nm；控制线宽边缘粗糙度表现；控制测量引入线宽变化和缺陷＜50nm；采用更精确的光刻胶模型，采用更精确的OPC模型，并基于光学极化效应确认其表现；控制并校正光刻设备的光散射，尤其针对极紫外线光刻设备；采用利于光刻工艺的设计和成产要求优化的设计方案
沉浸式光刻技术	控制沉浸式光刻技术生产中产生的缺陷、研发、优化光刻胶的组成，使之具备和液体以及顶部疏水层良好的兼容性，研发折射率＞1.8的光刻胶；折射率＞1.65的浸没液体以及折射率＞1.65的光学镜头材料
极紫外线光刻技术	制造低缺陷密度的掩膜基板；研发功率＞115瓦的光源系统以及长寿命低损耗的光学部件；研发线宽边缘粗糙度＜3nm，感光灵敏度＜10ml/cm2 ；分辨率＜40纳米半间距线宽工艺图形的光刻胶；制造＜0.01nm均方根误差和小于10%本征光散射的光学部件；控制光学部件的污染，研究不使用有机保护薄膜的掩膜版保护；研究与光学成像工艺生产设备的兼容性

• 光刻技术主要指标：
  • 分辨率W（resolution）-> 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸
  • 焦深（DOF-Depth Of Focus）-> 投影光学系统可清晰成像的尺度范围
  • 关键尺寸（CD-Critical Dimension）控制
  • 对准和套刻精度（Alignment and Overlay）
  • 产率（Throughout）
  • 价格

　　其中，分辨率是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。 
其由瑞利定律决定：$R=k_1 \frac{\lambda}{NA}$，其中$ \lambda $是光刻波的波长。

• 主流光刻技术:
  • 248nm DUV技术 （KrF准分子激光）-> 0.10um 特征尺寸
  • 193nm DUV技术 （ArF准分子激光）-> 90nm特征尺寸
  • 193nm 沉浸式技术 （ArF准分子激光）-> 65nm特征尺寸

　　　　

　　　　　　图2.ASML-XT1950i-EUV光刻机　　　　　　　　　　 　　　　图3.尼康的193nm沉浸式光刻机

分辨率增强技术(RET):

• Step-Scan 技术
• 偏轴照明(OAI)
• 邻近效应校正(OPC)
• 移相掩膜(PSM)
• 具有化学增强放大功能的快速感光光刻胶
• 光刻胶修剪(Resist Trimming)
• 抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶

2. 光波的特性与蚀刻

　● 光波的特性与蚀刻

　　在了解几种目前活跃的光刻技术之前，我们先来了解光波的特性。光波有多种频率。频率是指任意时间间隔内（通常为一秒钟）通过空间中某一点的波数。它的计量单位是周（波）/秒，或赫兹（Hz）。可见光的频率称为颜色，范围是430万亿Hz（红色）到750万亿Hz（紫罗兰色）。当然，频率的总范围超出可见光谱之外，从不足十亿Hz的无线电波到超过30亿Hz的伽马射线。

　　　　

   　　　　　　　　　　　　　　图4. 光波的频率与能量

　　如上文所述，光波是能量波。光波的能量大小与其频率成一定比例：高频光的能量较高，低频光的能量较低。因此，伽马射线的能量最高，无线电波的能量最低。在可见光中，紫光能量最大，而红光能量最小。

　　　　

　　　　　　　　　　　　　　图5.EUV极端远紫外光所处的位置　　

　　上图中，我们可以明确看到EUV极端远紫外光在光谱中的位置，这是一种波长极短的光刻技术，其曝光波长大约为13.5nm。按照目前理论上认为的波长与蚀刻精度关系，EUV技术能够蚀刻出5nm以下工艺的晶体管。

　　随着集成电路产品技术需求的提升，光刻技术也不断地提高分辨率，以制作更微细的器件尺寸。全球光刻技术的进程。传统上提高光刻技术的分辨率无非是缩短曝光波长及增大镜头的数值孔径NA，通常缩短波长是最有效的方法之一。

　　但是目前在缩短波长方面，各家光刻设备商都遇到的困境，或者说缩短波长已经成为整个行业最大的挑战。在各种活跃的光刻技术中，EUV技术拥有最短的曝光波长，但是目前推进非常艰难，而193nm传统光学光刻技术虽然老迈，但是加入了沉浸式技术配合之后，已经能够延伸到22nm左右工艺中。

2. 若干常用光刻技术

2.1 最为活跃的193nm浸入式光刻技术简介

　　直至2002年底浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠，而此前业界并没有认为浸入式技术有如此大的功效。因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。