[IC]Lithograph(2)光刻技术的分辨率与分辨率增强技术

接上一篇介绍IC制造的基本过程，光刻的基本过程。这篇文章继续介绍光刻过程中的一些概念。 该系列文章的目录如下：

1. [IC]Lithograph(0)半导体制造的基本过程
2. [IC]Lithograph(1)光刻技术分析与展望 
3. [IC]Lithograph(2)光刻技术的分辨率与分辨率增强技术 

1. 光刻投影系统的分辨率

　　投射到晶圆片上的特征图的精度，取决于投影系统的光波长，以及经过光掩膜板(illuminated mask)衍射光的衍射级次有多少能被会聚透镜(缩图透镜the reduction lens system)捕获。当前最常用的光刻机使用的深紫外光(deep ultraviolet,DUV)，是由波长为248nm和193nm的受激准分子激光器产生的。因此，当前主要的光刻技术也被称为“准分子激光光刻”。

　　投影系统能够刻印的最小特征尺寸可用瑞利判据给出：

\begin{equation} \label{E1}
CD = k_1 \cdot\frac{\lambda}{NA}
\end{equation}

$ \,CD $，为最小特征尺寸(也称为critical dimension)&#