光刻技术_下一代光刻技术有哪些

用于大规模集成电路生产的主流光刻技术仍是光学光刻技术，下一代光刻技术的主要候选者是极紫外光刻技术、纳米压印技术和无掩模光刻技术。

1. 极紫外光刻技术

极紫外光刻技术一直是最受关注且最有可能达到量产化要求的光刻技术。极紫外光刻技术使用波长为13．5 nm的极紫外光，几乎所有的材料对这个波段的光都是强吸收的，因此极紫外光刻技术只能采用反射投影光学系统。

极紫外光线经过由80层Mo—Si结构多层膜反射镜组成的聚光系统聚光后，照明反射式掩模，经缩小反射投影光学系统，将反射掩模上的图形投影成像在硅片表面的光刻胶上。

目前，极紫外光刻技术研究面临的主要难题包括低缺陷密度掩模的制备，高输出功率、长寿命极紫外光源的研发，反射式投影光学系统中污染的有效控制，适用于量产的反射式投影光学系统的制造，低线条粗糙度和低曝光剂量极紫外光刻胶的研发，保护反射式掩模免受微粒污染等。

2. 纳米压印光刻技术

纳米压印光刻技术是华裔科学家周郁在1995年首先提出的。首先采用高分辨率电子束等方法将纳米尺寸的图形制作在“印章”上，然后在硅片上涂上一层聚合物f如聚甲基丙烯酸甲脂，PMMA)，在一定的温度r高于聚合物的玻璃转化温度1和压力下，用已刻有纳米图形的硬“印章”“压印”聚甲基丙烯酸甲酯涂层使其发生变形，从而实现图形的复制。

纳米压印光刻技术主要包括热压印、紫外压印和微接触压印，三种技术。在热压印工艺中，将硅片上的光刻胶加热到玻璃转化温度以上，利用机械力将印章压入高温软化的光刻胶层内，光刻胶冷却后固化成形，完成图形转移。

紫外压印是通过紫外光使光刻胶发生聚合反应实现固化成形。微接触压印将“墨材料”r通常为含硫醇的试剂1转移到图案化的金属基表面上，再进行刻蚀工艺。

该技术的优点是分辨率高、成本低、工艺环节少、速度快，已成为下一代光刻技术中的有力竞争者。基于紫外压印技术新发展的步进闪光压印技术(Step and Flash Imprint Lithography，SFIL)，可达10 nm的分辨率，最有可能达到集成电路量产的要求。

3. 无掩模光刻技术

随着光刻分辨率的不断提高，掩模的成本呈直线上升的态势，因此无掩模光刻技术成为研究的又一热点。无掩模光刻技术的种类较多，主要分为基于光学的无掩模光刻技术和非光学无掩模光刻技术（如电子束无掩模光刻技术和离子束无掩模光刻技术）两大类。

综上所述，我们可以知道光刻技术的主要技术原理以及光刻技术的可能发展趋势。科技发展瞬息万变，只有技术的不断发展，才能满足现实社会的生产需求。