mos管结电容等效模型_详解MOS管的米勒效应,图文详解

详解MOS管的米勒效应,图文详解

MOS管的米勒效应

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波(振幅2V，频率50Hz)，T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。

首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，为什么Vgs在上升时会有一个小平台？

MOS管Vgs小平台

带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？

MOS管Vgs小平台有改善，为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。

MOS管的米勒效应：MOS管的等效模型，我们通常看到的MOS管图形是左边这种，右边的称为MOS管的等效模型。  其中：Cgs称为GS寄生电容，Cgd称为GD寄生电容，输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。

米勒效应的罪魁祸首就是米勒电容，米勒效应指其输入输出之间的分布电容Cgd在反相放大的作用下，使得等效输入电容值放大的效应，米勒效应会形成米勒平台。