详解MOS管的米勒效应,图文详解
MOS管的米勒效应
如下是一个NMOS的开关电路,阶跃信号VG1设置DC电平2V,方波(振幅2V,频率50Hz),T2的开启电压2V,所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。
首先仿真Vgs和Vds的波形,会看到Vgs=2V的时候有一个小平台,为什么Vgs在上升时会有一个小平台?
MOS管Vgs小平台
带着这个疑问,我们尝试将电阻R1由5K改为1K,再次仿真,发现这个平台变得很小,几乎没有了,这又是为什么呢?
MOS管Vgs小平台有改善,为了理解这种现象,需要理论知识的支撑。
MOS管的米勒效应:MOS管的等效模型,我们通常看到的MOS管图形是左边这种,右边的称为MOS管的等效模型。 其中:Cgs称为GS寄生电容,Cgd称为GD寄生电容,输入电容Ciss=Cgs+Cgd,输出电容Coss=Cgd+Cds,反向传输电容Crss=Cgd,也叫米勒电容。
米勒效应的罪魁祸首就是米勒电容,米勒效应指其输入输出之间的分布电容Cgd在反相放大的作用下,使得等效输入电容值放大的效应,米勒效应会形成米勒平台。