mos管结电容等效模型_关于电机驱动MOS驱动电路：半桥驱动芯片自举电路各器件参数理解...

关于电机驱动MOS驱动电路：半桥驱动芯片自举电路各器件参数理解

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1、MOS管结电容

    MOS管的电流选择电机的额定电流5到10倍以上，耐压选择1.5倍左右以上； 

    由于MOSFET的G，D，S两两之间存在寄生电容，他们的输入电容、输出电容和反向传输电容公式分别为： 

                              

其中：     Ciss与驱动设计有关，特别是驱动电流过小，充电时间慢 ；           Coss用于设计软开关，可能引起电路的谐振 ；     Crss影响开关的上升和下降时间。

2、自举电路半桥驱动芯片驱动能力选择 

    前面已经提到Ciss与驱动设计有关，驱动电流越小充电时间越慢；

    如果电机驱动功率需要比较大