关于电机驱动MOS驱动电路:半桥驱动芯片自举电路各器件参数理解
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1、MOS管结电容
MOS管的电流选择电机的额定电流5到10倍以上,耐压选择1.5倍左右以上;
由于MOSFET的G,D,S两两之间存在寄生电容,他们的输入电容、输出电容和反向传输电容公式分别为:
其中: Ciss与驱动设计有关,特别是驱动电流过小,充电时间慢 ; Coss用于设计软开关,可能引起电路的谐振 ; Crss影响开关的上升和下降时间。
2、自举电路半桥驱动芯片驱动能力选择
前面已经提到Ciss与驱动设计有关,驱动电流越小充电时间越慢;
如果电机驱动功率需要比较大ÿ