mos管结电容等效模型_一种基于MOS管自身的寄生电容实现米勒补偿的方法与流程...

本发明涉及运放电路中的米勒补偿技术,特别是一种基于mos管自身的寄生电容实现米勒补偿的方法,通过将运放电路中的功率mos管(power管)自身的寄生电容(位于mos管的栅极和漏极之间,表示为cgd)作为起独立作用或主导作用的米勒补偿电容,能够在调整极点或使主极点与输出极点分离、消除右半平面零点的同时避免造成降低带宽、降低压摆率、牺牲面积等缺陷。

背景技术:

运放电路中具有零极点现象,包括左半平面零点、右半平面零点、原点附近的主极点、输出极点等。图1是现有技术中的米勒补偿方式结构示意图。如图1所示,米勒补偿方式通常就是采用米勒补偿电容cc和调节零点电阻rz组合,米勒补偿电容cc用于调整极点或使主极点与输出极点分离,调节零点电阻rz用于消除右半平面零点。本发明人发现,现有技术中的米勒补偿方式忽略了或没有考虑到管子(特别是power管或功率mos管)本身存在较大的寄生电容cgd,该寄生电容cgd位于mos管的栅极和漏极之间。因此,现有技术中的米勒补偿电容cc并非实际的米勒补偿电容。图2是本发明揭示的图1中米勒补偿方式实际结构示意图。如图2所示,实际的米勒补偿电容既包括cc又包括cgd,这样就会降低带宽,降低压摆率,同时也会牺牲面积。在图2中由于cgd的存在实际上会产生右半平面零点,从而降低环路的稳定性。本发明人认为,如果将运放电路中的功率mos管自身的寄生电容cgd作为起独立作用或主导作用的米勒补偿电容并与调零电阻组合,则能够在调整极点或使主极点与输出极点分离、消除右半平面零点的同时避免造成降低带宽、降低压摆率、牺牲面积等缺陷。有鉴于此,本发明人完成了本发明。

技术实现要素:

本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足,提供一种基于mos管自身的

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