一、实验目的
熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处。学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。
理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案。
了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系。
了解如何通过读、写存储顺的指令实现对58C65 ROM芯片的读、写操作。
加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。
二、实验设备与器材
~~~~ TEC-XP+教学实验系统和仿真终端软件PCEC。
三、实验说明和原理
~~~~ 内存储器原理:内存储器是计算机中存放正在运行中的程序和相关数据的部件。在教学计算机存储器部件设计中,出于简化和容易实现的目的,选用静态存储器芯片实现内存储器的存储体,包括唯读存储区和随读写存储区两部分,ROM存储区选用4片长度8位、容易8KB的58C65芯片实现,RAM存储区选用2片长度8位、容量2KB的6116芯片实现,每2个8位的芯片合成一组用于组成16位长度的内存字,6个芯片被分成3组,其地址空间分配关系是:0-1777h用于第一组ROM,固化监控程序,2000-2777h用于RAM,保存用户程序和用户数据,其高端的一些单元作监控程序的数据区,第二组ROM的地址范围可以由用户选择,主要用于完成扩展内存容量的教学实验。
~~~~ 地址总线的低13位送到ROM芯片的地址线引脚,用于选择芯片内的一个存储字。用于实现存储字的高位字节的3个芯片的数据线引脚、实现低位字节的3个芯片的数据线引脚分别连接在一起接到数据总线的高、低位字节,是实现存储器数据读写的信息通路。数据总线要通过一个双向三态门电路与CPU一侧的内部总线IB相连接,已完成存储器、接口电路和CPU之间的数据通讯。
四、实验内容
要完成存储器容量扩展的教学实验,需为扩展存储器选择一个地址,并注意 读写和OE等控制信号的正确状态。
用监控程序的D、E命令对存储器进行读写操作,比较RAM(3116)、EEPROM(28系列芯片)、EPROM(27系列芯片)在读写上的异同。
用监控程序的A命令编写一段程序,对RAM(6116)进行读写,用D命令查看结果是否正确。
用监控程序的A命令编写一段程序,对扩展存储器EEPRM(28系列芯片)进行读写,用D命令查看结果是否正确;如不正确,分析原因,改写程序,重新运行。
五、实验步骤与截图
检查FPGA下方的标有“/CE”的四组插针均是左边两个短接;
检查RAM(6116)上方的标有“/WE”的插针应是左边两个短接;
RAM