ldo和dcdc功耗_LDO与DC-DC对比分析

一般电源管理芯片就是LDO(lowdropoutregulator)和DC-DC，芯片升压要选DC-DC，降压可根据需求选DC-DC或者LDO。

LDO：优点是噪声低、静态电流小、体积小、外围电路简单、成本低；缺点是输入输出电压差较大会导致转换效率低，原因是LDO利用电阻分压来降压，降下来的电压转换成了热量，因此能量损耗大。

DC-DC：优点是大电流、转换效率高；缺点是噪声大、体积大。

LDO设计

LDO(lowdropoutregulator)，低压差+线性+稳压器。

“低压差”：输出压降比较低，例如输入3.3V，输出可以达到3.2V。

“线性”：LDO内部的MOS管工作于线性电阻。

“稳压器”说明了LDO的用途是用来给电源稳压。

PMOSLDO基本结构框图如下，主要由PMOS、运放、反馈电阻和基准参考电压构成。

输出电压经电阻分压后与带隙基准电压做比较，通过运放输出Vg来调节输出。当Vout由于负载变化等原因导致电压下降时，运放FB点电压下降，与Vref电位相比较，放大器会减小它的输出，使得PMOS的栅极电压下降，进而使得|Vgs|增加，PMOS的导通电流就越大，从而使得Vout上升，完成负反馈调节。

例如，采用5V电源供电时，3.3VLDO的效率不会超过66%，但当输入电压降至3.6V时，其效率将增加到最高到91.7%。LDO功耗为(VIN–VOUT)×IOUT。

电荷泵