硬件工程师（电源设计）

IEEE 802.3at标准规定，class0和class3的PD，最大可以消耗的功率分别是多少?
13W,13W

根据EEE 802.3at,各个Class等级的PD,最大可消耗的功率如下：Class0:13W;Class1:3.84W;Class2:6.49W;Class3:13W; Class4:25.5W

IEEE 802.3af和IEEE 802.3at标准规定，PSE端阻判断1个标准PD的抗范围是多少时
19kQ2~26.5k2

根据IEEE 802.3af/802.3at标准，PSE判定1个标准PD的签名电阻范围是19kQ~26.5kQ；IEEE 802.3af/802.3at标准要求PD端设
计时，签名电阻范围必须控制在23.7kQ~26.3kQ之间。

IEEE802.3at标准规定Type2的PD设备可以通过物理分级的方式协商功率，也可以通过LLDP的方式协商功率。支持两种方式中的一种即可
错误

根据IEEE 802.3af/802.3at标准，PSE判定1个标准PD的签名电阻范围是19kQ~26.5kQ；IEEE 802.3af/802.3at标准要求PD端设
计时，签名电阻范围必须控制在23.7kQ~26.3kQ之间。
IEEE 802.3at标准规定Type2的PD设备必须同时支持物理分级的方式协商功率和LLDP的方式协商功率。Type2的PSE设备可以通过物理分级的方式协商功率，也可以通过LLDP的方式协商功率；支持两种方式中的一种即可。

IEEE 802.3at标准规定了Type2的PSE设备对接不同class等级的PD时的最小分配功率（PSE设备分配的功率不能小于标准规定的值）Class4:30W,Class3:15.4W,Class2:7W,Class1:4W,Class0:15.4W.IEEE 802.3at标准还规定了不同class等级的PD时的最大功率（PD设备消耗的功率不能大于标准规定的值）Class4:25.5W,Class3:13W,Class2:6.49W,Class1:3.84W,ClassO:13W。每个class等级下，PSE分配的功率大于PD可消耗的功率，是考虑了PSE设备和PD设备之间的链路损耗。

IEEE802.3at标准规定了PD设备的Inrush电流门限是400mA,PD端必须考虑缓启设计，确保上电阶段PD消耗的电流不超过400mA，缓启设计是为了保障冲击电流不超过标准规定的门限，与功率门限没有直接关系。

IEEE 802.3at标准规定,Class0,Class1,Class2,Class3,Class4的PD设备的Inrush电流门限都是400mA.

IEEE802.3bt标准对供电线对的极性做了规定。PSE设备的12和36线对有2种极性可以选择：12线对正，36线对负；12线对负，
36线对正。PSE设备的45和78线对的极性只有1种：45线对正，78线对负。

降压变换器（buck)，升压变换器（boost)，升降压变换器（buck-boost).

关于四桥臂Buck-boost描述的有
A.应力较低，效率较高
B.使用的开关管较多。
C.较多的应用于电池供电系统，适合于低压高集成度的芯片方案

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以BUCK为例，DCDC芯片开关过程中产生电压和电流的变化，包含了较快的di/dt和dv/dt噪声分量
EMI滤波器可以抑制流经LISN的差模和共模电流
完整的地平面可以感应出电流，并形成相反的磁场来抵消高频环路带来的磁场

1）非同步BUCK电路的下管采用二极管，效率比同步整流BUCK电路低。
2）同步整流BUCK电路通过用MOSFET来代替非同步BUCK电路的续流二极管，提高效率。
3）死区时间，电流从MOSFET管的体二极管通过。同步整流电路逻辑出现混乱，上下管同时导通，则系统必定失效。

关于BUCK电流输出电容的描述正确的有
要保持较小的输出电压过冲和下降，电容应该有较小的ESR和ESL，较大的瞬态负载变化时需要较大容量的电容作为储能电容

关于BUCK电路的反馈电阻，描述正确的是
通常考虑到未来相位裕量和响应速度的调整，可以根据规格书的推荐预留前馈电容C1的位置

Buck控制原理环路分析中，（相位裕量）越高，系统越容易稳定

关于电源的MOSFET选型，下面描述正确的是
下管的导通损耗的关键指标是Rdson

IEEE802.3at标准规定Type2的PSE设备可以通过物理分级的方式协商功率，也可以通过LLDP的方式协商功率；支持两种方式中
的一种即可。Type2的PSE设备支持物理分级的方式协商功率时，对接class4的PD必须发送2个event的分级波形；Type2的PSE设备仅支持通过LLDP的方式协商功率时，对接class4的PD可以只发送1个event的分级波形。

关于PSE和PD的维持电流的描述，哪些符合IEEE 802.3at标准
PSE端的维持电流门限IHold可以设置成6mA,
如果超过400ms的时间都没有在端口检测到符合要求的MPS电流，PSE可以断开此断开的供电
PD必须在每250ms周期内，连续维持超过75ms的10mA以上的电流

下面关于PoE设备的电源设计，正确的是
Type1的PSE设备的PoE电源电压必须大于44V
Type2的PD设备，PoE端口输入电压43V时也可以正常工作

以太网总共有8根线对，关于供电线对的描述，符合IEEE 802.3at标准的是哪些
PSE设备可以支持12线对和36线对供电，也可以支持45线对和78线对供电
考虑到早期的百兆可能只有12和36线对，PSE设备选择12线对和36线对供电可以支持的场景更多

IEEE 802.3at/802.3af标准规定，PSE设备可以支持12线对和36线对供电，也可以支持45线对和78线对供电。PD设备必须既支
持12线对和36线对供电，又支持45线对和78线对供电。考虑到早期的百兆可能只有12和36线对，PSE设备选择12线对和36线对供电可以支持的场景更多。

与反激电源相比，正激电源的特点是
正激变换器的变压器接近于理想变压器，
正激的输出功率更大，
器件数更多，
输出电感必不可少，多路输出成本更高

能够实现负压的电源拓扑有
BUCK-BOOST
Cuk

能够实现升降压的电源拓扑有
BUCK-BOOST
Cuk
Zeta
Sepic

DCDC电路对外辐射的主要噪声源
高频电流环路
高频开关节点
DCDC电路对外辐射的主要噪声源是高频电流环路（Hot loop）和高频开关节点（SW note），包含了比较宽频段的谐波分量。

开关节点dv/dt的阻抗通常是K欧姆级，呈现近场电场特性
高频开关环路di/dt的阻抗通常是毫欧至欧姆级，呈现近场磁场特性
高频电流环路形成的磁场大小取决于环路面积和电流大小
高频电流环路主要存在于电流切换的环路，开关管和连接在开关两端的电容形成了高频电流环路

高频电流环路噪声源的抑制方法
同步方案减少高频电流环路面积
对称放置输入电容抵消磁场
高频电流环路底层完整PCB铺铜
减小开关节点和电感面积
抖频技术

CCM(ContinuousConduction Mode),连续导通模式,描述正确的是
电感从不“复位”，意味着在开关周期内电感磁通从不回到0
功率管闭合时，线国中还有电流流过

DCM,(Discontinuous Conduction Mode)非连续导通模式，描述正确的是
在开关周期内，功率开关闭合时，电感电流为零
当工作于DCM模式，输出电压受负载影响，为了控制电压恒定，占空比必须随着负载电流的变化而变化
工作于DCM模式，输出电流的纹波比CCM大
工作于DCM模式，在电感电流为0的时候，会产生振荡现象
DCM非连续导通模式：在开关周期内，电感电流总会回到0，意味着电感被适当地“复位”，即功率开关闭合时，电感电流为
零。工作于DCM模式，输出电流的纹波比CCM大；工作于DCM模式，在电感电流为0的时候，会产生振荡现象；当工作于DCM
模式，输出电压受负载影响，为了控制电压恒定，占空比必须随着负载电流的变化而变化。

关于PFM，下面描述正确的是
当负载较轻的时候，可以通过减小频率，来减小输出能量，并减小开关损耗和导通损耗。
PSM模式也会有低频的周期纹波，但是同样的等效频率，PFM模式的开关周期更加均匀，低频纹波更小。
固定导通时间控制COT(constant on time)的轻载模式，频率白然下降，开关周期均匀，纹波较小。

关于BUCK电路的输入电容，描述正确的是
输入电容的作用是用来提供一个低阻抗的电流源来提供MOSFET电流
电源输入电容上本身的ESL并不大，但是经常会有因为输入电容较远或者地线较远引入较大的ESL，在输入端引起较大的尖峰，
导致芯片供电异常或者芯片MOSFET过压击穿。

关于BUCK电路的输出电感，描述正确的是
电感较大，效率较高，但是响应会变慢，电感的选型要注意环路稳定性
电感的额定电流，还要考虑短路电流，短路时短路电感电流远大于设计最大电感电流的时候，电感饱和短路保护容易失效

关于BUCK电路的自举电容，描述正确的是
自举电容是自举电路的储能电容，用于上管的驱动。
通常在10nf~1uf之问，常见100nf。
自举电容失效，芯片会过热或者不能工作

关于BUCK电路的PCB设计，描述正确的是
输入电容就近放在芯片的输入Vin和功率地PGND，减少寄生电感的存在，因为输入电流不连续，寄生电感引起的噪声对芯片
的耐压以及逻辑单元造成不良影响
功率回路尽可能的短粗，保持较小的环路面积，较少噪声的发射
SW点是噪声源，保证电流的同时保持尽量小的面积，远离敏感的易受干扰的位置。
VCC电容应就近放置在芯片的VCC管脚和芯片的信号地之问，尽量在一层

FB是芯片最敏感，最容易受干扰的部分，是引起系统不稳定的最常见原因，PCB走线的要点是
FB电阻连接到FB管脚竟可能短，减少噪声的耦合
远离噪声源，SW点，电感，二极管（非同步buck）
如果需要，可以从负载端进行反馈
反馈信号如果比较长，可以跟GND走一对差分走线。

Buck电路中，MOSFET选择考虑的方面
QOSS
耐压
QG
驱动电压

输入电压和负载电流对输出电压的影响
直流增益
带宽

Buck的控制方式
A.电压模式控制
B.恒定导通时间模式控制
C.峰值电流模式控制
D.滞环模式控制

芯片外部的电流采样的方法通常用
恒流控制
过流保护

关于电源的MOSFET的使用和设计，下面描述正确的是
下管的导通损耗跟占空比有关
上管的开关损耗与开关频率有关

关于BOOST电源，下面描述正确是
当开关打开（MOSFET导通）时，电源对电感进行充电
当开关断开（MOSFET截止)时，由于电感的电流保持特性，流经电感的电流不会马上变为0，而是缓慢的由充电完毕时的值
变为0
开关管导通时，电源经由电感-开关管形成回路，电流在电感中转化为磁能贮存；
开关管关断时，电感中的磁能转化为电能，此电压叠加在电源正端，经由二极管-负载形成回路，完成升压功能

关于反激电源设计，下面描述正确是
漏感形成的振荡波形取决于漏感和结电容，和关断时的漏感能量，振荡过大会使MOSFET过压，需要RCD电路吸收
DCM模式下由于Vdis振荡波形的存在，效率会变化。

DCDC转换器输入输出电容选择前已知设计因素应考虑
开关频率
输入输出电压及输出电流
拓扑结构或者占空比
电感值用于推导电流波形，计算电流有限值
环境温度及损耗温升计算评估

电感器损耗取决于以下哪些因素
开关频率
绕组损耗
磁芯材料

关于电源环路稳定性，下面描述正确的是
环路测试的时候各个频段注入信号幅度要注意：高频段注入信号太大，破坏正常工作；低频段注入信号太小，容易受噪声干
扰。低频段大一些，高频段小一些。

穿越频率是指：增益为0dB时所对应的频率值。在室温和标准输入、正常负载条件下，闭环回路增益为OdB（无增益）的情况下，相位裕度是应大于45度；如果输入电压、负载、温度变化范围非常大，相位裕度不应小于30度。

下列哪些条件必然会引起环路稳定
当环路增益|G（S）H（S）|为1，且相角为-180°的时候，闭环传递函数的分母为0，其结果变为无穷大。这意味着一个系统在没有输入的情况下会维持一个输出，系统是一个振荡器，这与稳定系统有界的输入产生有界的响应相矛盾，也就是说此时系统是不稳定的。

下列哪种200KHz开关频率的Buck电源系统最稳定
相位裕量48°，带宽36K

正常负载条件下，环路的相位裕量要求大于45°，以确保系统在各种误差和参数变化情况下的稳定性。当负载特性、输入电压变化较大时，需考虑在所有负载状况下以及输入电压范围内的环路相位裕量应大于30°。穿越频率，又称为频带宽度，频带宽度的大小可以反映控制环路响应的快慢。一股认为带宽越宽，其对负载动态响应的抑制能力就越好，过冲、欠冲越小，恢复时间也就越快，系统从而可以更稳定，一般取开关频率的1/20~1/6。

关于电源纹波测试，下面描述正确的是
一般测试稳态纹波的时候，通常会限值带宽，得到比较干净的纹波波形。
如何避免过多的噪声耦合到纹波测试，用尽可能小的环路，避免耦合的噪声过大。

在环路稳定性测试过程中，需要将信号电阻接入电源环路控制电路中，注入一特定幅度和频率范围的扫频信号来测量，需要满足怎样的注入要求
接入电阻取值要足够小，通常要远远小于反馈网络的等效电阻
比较理想的注入点是在输出和反馈网络之间
注入信号不能影响环路的静态工作点，为了解决信号源与被测物共地问题，需要注入变压器或者带隔离的信号源

注入电阻的取值要足够的小，通常要远远小于反馈网络的等效阻抗，这样才能保证注入电阻对反馈环路的影响可以忽略不计。为了尽可能降低误差，我们对注入点的选取有特殊的要求，一般要让从注入点一端看进去的阻抗远远大于另一端看进去的阻抗，一个比较理想的注入点是输出和反馈网络之间，其他注入点如误差放大器和功率晶体管之间也是可行的。原则上信号的注入不能影响环路的静态工作点，为了解决现实的电路中信号源和被测件共地的问题，往往需要使用注入变压器，或者直接使用带隔离的信号源。

为了避免过多的噪声耦合到纹波测试，下列哪种测试方法是正确的
探头最小环测试
同轴电缆小环

BUCK电路如何提高DC-DC效率
大电流负载降低导通阻抗
轻载降低开关频率
轻载时，通过待机进一步降低开关频率和IQ

EMC设计的基本原则
抑制干扰源
切断耦合路径
保护敏感设备

在EMC设计时，关于模拟电路地平面和数字电路地平面的处理，正确的是
对于噪声指标要求高的场景，需要减少数字噪声对模拟电路的影响。数字电路地平面和模拟电路地平面隔离设计可以减少数字噪声耦合到模拟地平面。

DCDC电源存在开关噪声，DCDC电源的输出电感是对空间辐射噪声很大，对噪声敏感的信号应该避免从输出电感附近走线，对
噪声敏感的器件应该避免放置在输出电感附近。DCDC电路的输出电源平面设计时要考虑通流能力，按照细长的形状可能造成通
流能力不足。

环路不稳定时，可能出现下列哪些现象
负载不变时，PWM占空比不稳定
负载跳变时，有非常大的电压波动
纹波异常
Phase点抖动严重

Buck电路选择电感时，主要关注电感值，等效直流电阻稍微大一些不影响电源的正常工作
错误

Buck电路的自举电容的两端是电流非常小，可以走线非常的细
错误

MOSFET的功耗由哪几部分组成
（上下管）导通损耗：MOSFET处于打开状态，Rds（on）上面流经电流的损耗。
（上下管）MOSFET输出电容充放电损耗：MOSFET寄生电容充放电的损耗。
（上管）开关损耗：MOSFET在打开和关闭的过程中，处于放大区的损耗。
（下管）二极管死区续流损耗：主要发生在PWM死区（dead time）的时候，需要打开下管的体二极管来续流。
（上管）下管的二极管反相恢复损耗上管打开瞬间，需要将二极管正向导通电荷释放掉。

CCM模式反激的特点
峰值电流低
高开关损耗
高电压应力