解读3D NAND是如何制作的？

最新推荐文章于 2024-05-26 10:29:45 发布
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3D NAND作为平面NAND的替代技术，因其物理极限已到，逐渐成为存储市场的新宠。文章介绍了3D NAND的结构与制造难点，包括垂直堆叠的挑战和string stacking技术的研发，以及未来可能达到的层数极限。随着技术的发展，3D NAND预计将在未来几年内成为主流存储解决方案。
摘要由CSDN通过智能技术生成

2013年，三星发售全球首款3D NAND设备，在IC(集成电路)业界达到了一个里程碑。现在，经过一些延迟与不确定性后，英特尔，美光，海力士，闪迪/东芝二人组对3D NAND最终加大产能或进行取样。

解读3D NAND是如何制作的？

相对现有平面或2D NAND，3D NAND无疑是翘首以待的“继承者”，它适用于内存卡，SSD，USB闪存驱动器等产品。

虽然我们依然对现有平面NAND有极大的需求量，但该项技术的微细化基本已经达到物理极限。今天，NAND闪存供应商正在通过Mid-1x纳米技术发售平面部件，这表示该技术的缩放之路已经走向终结。

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weixin_33939380
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[NAND Flash 3.2] 3D NAND 工艺与发展前沿
存储
12-12 4076
依公知及经验整理，原创保护，禁止转载。专栏 《全文6200字，​2023.12.12更新。
3D NAND介绍
weixin_45614159的博客
08-04 576
与存储单元水平堆叠的2D NAND 不同，3D NAND 使用多层垂直堆叠，以实现更高的密度、更低的功耗、更好的耐用性、更快的读写速度和更低的 成本。由于将如此多的垂直单元封装成较小的宽度和长度尺寸，因此 3D NAND 在相同的长度和宽度尺寸下具有比 2D NAND 更大的容量。一个知识分享的社区，陆续上传一些芯片制造各工序，封装与测试各工序，建厂方面的知识，供应商信息，以及大量的半导体行业资料，针对性地解答一些疑问，内容远远丰富于日常的文章，帮助各位抓住目前半导体的风口。么是非易失性存储技术？
浅析3D NAND多层架构的可靠性问题
最新发布
存储随笔
05-26 1031
尽管如此，在擦除操作中，Joint-DMYs仍可能遭受干扰，进而影响到相邻的数据WL，成为提升多层技术可靠性的关键障碍。在不同的擦除循环次数下，随着氧化层Oxide厚度的变化，DMY0和DMY1这两个Joint-DMYs的阈值电压（Vt）中位数的变化情况。实验结果显示，随着擦除脉冲次数的增加，DMY0和DMY1的Vt分布向更高的Vt偏移。为了量化联合虚拟单元（DMY0和DMY1）在擦除循环过程中的阈值电压（Vt）偏移，研究团队设计了一个特定的偏置波形图，这个波形图指导了实验中施加于器件的电压序列。
3D NAND“大连造”
05-16 502
点击上方 “中国云报” 可直接关注 ！ 数据量的增加只是表面现象，其背后隐藏的是巨大的数据价值。更有效地挖掘和利用数据价值，前提是更好地存储数据。这也是英特尔发力存储，特别是
3D NAND性能
吴建明wujianming_110117
06-19 920
3D NAND性能 ISSCC 2021上，3D NAND展示了3D NAND技术。三星、SK hynix和K IOxia（+ Western Digital）分享了3D TLC NAND设计，英特尔展示了144层3D QLC NAND。 3D TLC 三星、SK hynix和Kioxia / WD介绍了下一代3D TLC的信息。 三星很在性能上处于领先地位，读取延迟最低、写入速度最快。然而，位密度仍然明显滞后，宣称这一代的位密度跃升了70%。三星能够避免使用串叠，可以将128层的堆栈作为单层制造，竞争对手
3D NAND生态全景回顾以及行业展望
存储随笔
08-16 2070
自2014年3D NAND问世，就一直聚焦着全世界的目光。经过几年的沉淀，3D NAND行业可谓是"百家"峥嵘。说"百家"是有点夸张了，说白了，3D NAND行业也就是指三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等这些Flash原厂巨头，因为他们基本完全把控着3D NAND的命脉。中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。值得欣慰的是，紫光公司主导的长
2021-2025年中国3D NAND行业调研及价值竞争策略研究报告.pdf
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根据给定的文件信息，以下是对标题和描述中所述知识点的详细解读： ### 一、3D NAND行业价值竞争策略研究报告概述 #### 1. 报告简介 本报告主要针对2021年至2025年间中国3D NAND行业的现状和发展趋势进行了深入的...
2021-2025年中国3D NAND行业调研及个性化定制战略咨询报告.pdf
07-20
### 2021-2025年中国3D NAND行业调研及个性化定制战略咨询报告 #### 第一章 企业个性化定制战略概述 ##### 1.1 3D NAND行业个性化定制战略研究报告简介 本章节主要介绍了3D NAND行业的个性化定制战略研究报告的...
SSD4.rar_SSD4课本_ssd4_ssd4是那本书
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2. **存储技术**：讲解不同类型的NAND闪存，如SLC、MLC、TLC和QLC的特性、优缺点以及适用场景，同时涉及3D NAND技术的发展与优势。 3. **SSD工作原理**：详述读写操作的流程，包括地址映射、磨损均衡、垃圾回收等...
半导体新股解读华海清科：步入高速成长，主导CMP设备国产化（2021）（15页）.pdf
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华海清科的 CMP 设备在逻辑芯片制造、3D NAND 制造、DRAM 制造等领域的工艺技术水平已分别突破至 14nm、128 层、1X/1Ynm ，均为当前国内大生产线的最高水平和全球集成电路产业的先进水平。同时，公司的 CMP 设备已...
NAND闪存芯片利用3D堆叠技术成功解决体积压缩难题
10-17
堆叠式3D NAND芯片将在未来四年内成为闪存芯片市场上的主流方案。根据分析企业IHS的推测，这项新技术的出现将令当下闪存制造商们所大肆宣扬的芯片尺寸压缩方案变得黯然失色，并在未来成为削减产品尺寸、扩大产品容量的首先机制...
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2. **增强型NAND闪存支持**：支持最新的3D NAND技术，如V-NAND，进一步提高了存储密度和性能。 3. **HS-G4接口**：UFS 3.1采用了HS-G4接口，该接口采用PCIe 3.1或更高版本的协议，提供更快的数据传输。 4. **改进...
[SSD NAND 3.2] 3D（三维）NAND图文详解_2D NAND 和 3D NAND 横向对比_VNAND 技术详解
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11-10 2865
传统上，NAND 单元以 2D 方式排列，单元数越多，驱动容量就越大（每个芯片的内存增加）。但正如摩尔定律的消亡告诉我们的那样，可以缩小硅片的程度是有限的。 因此，由于 2D 中没有单元格，我们开始将它们一个一个地堆叠起来，这称为 3D NAND。它不仅更便宜，而且速度更快，而且更节能。制造商通常将基于 TLC 和 QLC 的 SSD 与 3D 堆叠或 VNAND 配对，以进一步提高性价比，使驱动器更加实惠。
Optane、3D NAND，朋友一生一起走！
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英特尔的战略非常清晰：同为新一代存储介质，Optane（傲腾）针对的是热数据，提供其所需要的但是这并没有消除市场的疑虑，很多人还是搞不清楚傲腾、闪存之间的关系。傲腾、闪存...
未来展望：3D NAND加快进入“千层饼”时代
存储随笔
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133层为单层结构，无COP设计，总门数为133，有效字线数由128增至133，512Gb裸片上两个面各有两个子平面，速度提升至1600MT/s。去年已宣布321层V9 4D PUC样品，下一个节点可能为3yy层（如370层或380层），位于400层以下。在开发232层之前，长江存储内部曾有过192层和198层样品，但最终选择了直接过渡到232层。如今，三星已拥有280层V9 COP V-NAND。，甚至在五年内，通过采用更先进、优化的混合键合技术，可能出现超过600层或700层的封装解决方案。
2D NAND和3D NAND横向对比(BICS)
Gick
02-11 1万+
  多年以来，2D NAND 一直都是半导体工业光刻（lithography）技术的发展推动力，其印刷尺寸是最小的，而且保持逐年下降。随着 2D NAND 的尺寸缩小到了十几纳米节点（16nm、15nm甚至 14nm），每个单元也变得非常小，使得每个单元中仅有少数几个电子，而串扰问题又使得进一步缩小变得非常困难而且不够经济。   随着 2D NAND 的问题越来越多，业界开始着眼于
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NAND，3D NAND
什么是3D NAND闪存，它到底优秀在哪？
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科技云报道原创。 “随着SSD的普及，SSD已经不再那么神秘，开始逐渐被人们所熟知。但是对于3D NAND闪存，很多人还不是很了解，今天我们就来聊聊3D NAND这个话题。” 3D NAND出现的原因 要聊3D NAND闪存价值，我们需要快速回顾一下NAND的发展史。NAND是非易失性闪存存储器，所谓的非易失性我们可以简单的理解为——在断电的情况下数据不会丢失，会保持长期的存储。于是，因为这个特...
3d nand csdn
11-01
3D NAND是一种新型的存储器技术，与传统的2D NAND相比具有更高的容量、更高的稳定性和更低的功耗。它通过在垂直方向上堆叠多层存储单元，将存储密度提升到了一个新的水平。 CSDN是一个知名的IT技术社区，汇集了大量的开发者和技术爱好者。在CSDN上，我们可以找到一些关于3D NAND的专业文章和讨论，了解最新的产业动态和技术发展。 3D NAND的优势主要体现在容量和性能上。由于采用了垂直的堆叠结构，3D NAND的存储密度更高，可以在相同的芯片面积上存储更多的数据。这对于现代的大数据时代来说非常重要，可以容纳更多的信息而不增加占地面积。 此外，3D NAND还具有更高的稳定性和可靠性。与2D NAND相比，由于存储单元是堆叠的，3D NAND在面对读取、擦除和编程操作时具有更低的漏电和噪声，从而提高了数据的可靠性和持久性。 在功耗方面，3D NAND也有一定的优势。由于存储单元是堆叠的，每个存储单元的尺寸相对较小，读写操作所需的电流也相对较小，从而降低了功耗。 总之，3D NAND是一种具有更高容量、更高稳定性和更低功耗的存储器技术。在CSDN上，我们可以找到更多关于这一技术的相关信息，以及与其他开发者共同探讨并学习最新的发展动态。
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