三极管漏电流导致MOS无法关断，根源在于开关电源纹波过大……

今日做两个项目，传感器测试仪和电机测试仪，cortexA8架构，Android操作系统，手持外形设计。

硬件做到硬件调试阶段，MOS管无法关闭问题调了2天也没解决，一直怀疑是MOS端问题。

设计如下图：

EN控制12V电源的通断，此设计在我以前设计的手持端用过，是经过验证可以使用的设计，虽然有改进余地。但是到了这里MOS管永远常开，测量R6下端电压为7.2V，使得VGS=-3V以上，MOS管打开，但是理论上R6下端电压应为12V。将R6电阻逐渐减小，直到降到510欧姆，表现一样。

直接换0欧姆可以工作，但是三极管一旦打开，12V跟GND短路。

于是换成如下电路：

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