[电源系列]二、低成本MOS快速关断电路原理分析

1. 电路图

如图所示，R22为PWM输入，16.8V为输入电压,，4为输出开关管,Q5 、D2、R17为MOS快速关断电路。

2. 电路分析

①当PWM输入为高时：
三极管Q6导通，电流通过R14、R18、Q6到GND，$V_1$接近约0.3V，$V_2$为R14、R18的分压。$V_2$通过D2、R17给电容充电，充电完成后电容上的压降约为R18上的电压减去D2压降。Q5 $V_b$${}_e$电压为D2上的电压，Q5截止。
②当PWM输入为低时：
三极管Q6截止，由于MOS $V_G$${}_S$上由于结电容的存在导致MOS无法快速关断，$V_1$、$V_2$电压相等，$V_1$电压抬升，由于电容上的电压不能突变，D2截止，所以电容上电压通过R17、Q5、R18放电，Q5导通，Q5 $V_c$${}_e$电压为Q5导通电压，这样就实现了MOS的快速关断。