robomaster-MOS管开关电路-TPCA8122不能快速关断深入研究

最新推荐文章于 2023-08-31 19:47:13 发布

RM小白

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分类专栏： robomaster 文章标签：硬件

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_43643307/article/details/110672413

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本文深入探讨了MOS管开关电路的基础知识，包括PMOS和NMOS的工作原理、MOS开关损失以及如何选择合适的MOS管。详细介绍了TPCA8122在24V系统中的应用，利用电阻分压实现控制，并讨论了电容充放电在开关电路设计中的作用。同时提到了三极管的正确应用和缓启动电路的优缺点。

摘要由CSDN通过智能技术生成

一、mos关断电路知识基础
在这里插入图片描述

1、PMOS
PMOS是栅极低电平（Vgs|<Vt)导通，高电平断开，可以用来控制与地之间的导通。对于PMOS来说，一般是源极接电源正极，而栅极接在电源负极。
2、NMOS
NMOS是栅极高电平（Vgs >Vt)导通，低电平断开，可以用来控制与电源之间的导通。对于NMOS来说，一般是源极接在电源负极（低电位），而栅极接电源正极。
3、MOS开关损失
NMOS还是PMOS，导通后存在导通电阻，电流会在电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4、MOS开关特性（选择MOS管）
（1）采用N沟道还是P沟道。MOSFET.在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压