一、mos关断电路知识基础
1、PMOS
PMOS是栅极低电平(Vgs|<Vt)导通,高电平断开,可以用来控制与地之间的导通。对于PMOS来说,一般是源极接电源正极,而栅极接在电源负极。
2、NMOS
NMOS是栅极高电平(Vgs >Vt)导通,低电平断开,可以用来控制与电源之间的导通。对于NMOS来说,一般是源极接在电源负极(低电位),而栅极接电源正极。
3、MOS开关损失
NMOS还是PMOS,导通后存在导通电阻,电流会在电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4、MOS开关特性(选择MOS管)
(1)采用N沟道还是P沟道。MOSFET.在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压