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相位噪声仿真方法

第二章 相位噪声理论与仿真方法

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其中P V 为载波功率，u0 2 f0 为标称频率对应的角频率。噪声电压的单边

S 0

2

带功率谱密度为：

S () 2S () P [S u  S u  ] 式(2.44)

vn vn 2 S n 0 2 n 0 2

以载波为基准的单边带相对功率谱密度为：

Sv ()

L  n S u S u 2S u

vn   n  0 2 n  0 2 n  0 2

P

S 式(2.45)

Sn u0  Sn u0 

又因为射频单边带功率谱密度Sn u0  与基带单边带功率谱密度Sn 

有以下关系：

1

Sn u0  Sn  式(2.46)

2

u

其中 为相位载波角频率 的频率偏离，可称为基带调制角频率。故噪声电压单



0

边带功率谱密度可表示为：

1

Lvn () Sn () 式(2.47)

2

相位噪声测量中常采用傅氏频率 代表距离标称频率的频率偏离，用L f 表是

f  

信号的带边带相位噪声，即：

1

L (f ) S n (f ) 式(2.48)

2

式(2.48)表明噪声电压v t 的相对单边带功率谱密度等于相位噪声 t 单边