一. 思维导图
数字电路思维导图
二. 二极管门电路
2.1 二极管与门电路
最简单的与门电路
上述电路逻辑电平与真值表 缺点:输出的高、低电平与输入的高、低电平数值不相等,差一个二极管的正向导通压降,如果把这个输出作为下一级门的输入信号,将发生信号高、低电平的偏移;另外,当输出端对地接上负载电阻,负载电阻的改变有时会影响输出的高电平。 2.2 二极管或门电路 最简单的二极管或门电路 上述电路逻辑电平与真值表三. CMOS门电路
CMOS集成电路中,以金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOS管)作为开关器件。 3.1 MOS管的结构和工作原理 用P型衬底(图中B),制作两个高掺杂浓度的N型区,形成MOS管的源极S(Source)和漏极D(Drain),另外一个电极栅极G(Gain),通常用金属铝或多晶硅制作。 在D和S极上加上电压Vds,设置Vgs=0,D和S之间不导通,Id=0; 在D和S极上加上电压Vds,设置Vgs>Vgs(th),由于栅极和衬底之间的电场吸引,使衬底中的少数载流子-电子聚集到栅极下面的衬底表面,形成一个N型的反型层,这个反型层就构成了D和S之间的导电沟道,于是就有ID流通,这个Vgs(th)成为MOS管的开启电压。 随着Vgs的增大,导电沟道的截面积增大,所以Id会增大,也就是可以通过Vgs控制Id的大小。 为防止有电流从衬底流到S极和导电沟道,一般将衬底和源极接在一起,或者接到系统最低电位上。 3.2 MOS管的输入输出特性 如下是MOS管的共源接法,GS作为输入,DS作为输出。 右边的图称为MOS的输出特性曲线,也叫MOS管的漏极特性曲线,有三个工作区域,截止区,可变电阻区,恒流区。 1、截止区,Vgs 2、当Vgs>Vgs(th)后,D和S之间出现导电沟道,有ID产生,可以分为两个区,一个是可变电阻区,见上图虚线