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RSS订阅原创 带隙基准之选个运放吧！
第一种如图2a，最经典最简单的五管差分对，由图1可以看到运放的输入为一个VBE的电压，常温下在0.6V-0.7V之间，这个数值相对nmos输入对管是偏低的，这个电压减掉一个vgs之后有可能导致尾电流管的漏端电压过低，导致尾电流管进入线性区，因此第一种不是很好的选择。先来看一下有可能的运放结构，如图2。现在的要求是我不要用两级运放，同时还要保持和图2c一致的输入输出类型，于是得到如图3，严格说还是两级的运放，只是第一级增益很小，极点比较远，考虑稳定性的时候可以等效成单级运放，并且总的增益大致也是单级运放。
2024-02-21 11:08:57
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原创 第一个带隙基准
从图4的结果可以看到这个基准基本上算是设计失败了（电压随温度变化过大），来分析一下原因，之前提到过的pmos的电流镜的VDS不相等（这里是Vbn大于Vbp）的问题，导致VA=VA’的假设存在问题，那么为了消除这个系统误差，我们的可以提高Vbn同时降低Vbn，使pmos电流镜漏端电压尽量相等。先讲讲为什么取这个电路吧，还是之前的原则，要简单，一定要简单，这个结构就是最简单的，没有运放，也没有子模块，所有的管子和器件都在这个图上了，一共就十个器件，很多还是相同的，应该是足够简单了。图6 优化后的VREF曲线。
2024-01-30 10:26:25
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原创 带隙基准建模
可以看到这两条温度曲线一个向上，一个向下，只不过两者的斜率略有不同，如果我们将正温度系数的电压扩大一个系数1.8/0.176=10.23，再与负温度相加，理论上正负就抵消了，得到了一个想要的带隙基准电压，并且可以计算一下这个电压在常温下的值约为55mV*10.23+736mV=1299mV。废话挺多了，我们继续。最后在继续设计之前，总结一下带隙基准的原理，很简单就一句话，将负温度系数电压和正温度系数电压通过合适的配比相加，实现正负相互抵消，得到零温度系数电压。图3 VA-VB温度特性。
2024-01-13 11:46:02
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空空如也
空空如也
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