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模拟IC设计
文章平均质量分 74
Analog_INFP
这个作者很懒,什么都没留下…
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第一个带隙基准
从图4的结果可以看到这个基准基本上算是设计失败了(电压随温度变化过大),来分析一下原因,之前提到过的pmos的电流镜的VDS不相等(这里是Vbn大于Vbp)的问题,导致VA=VA’的假设存在问题,那么为了消除这个系统误差,我们的可以提高Vbn同时降低Vbn,使pmos电流镜漏端电压尽量相等。先讲讲为什么取这个电路吧,还是之前的原则,要简单,一定要简单,这个结构就是最简单的,没有运放,也没有子模块,所有的管子和器件都在这个图上了,一共就十个器件,很多还是相同的,应该是足够简单了。图6 优化后的VREF曲线。原创 2024-01-30 10:26:25 · 394 阅读 · 1 评论 -
带隙基准建模
可以看到这两条温度曲线一个向上,一个向下,只不过两者的斜率略有不同,如果我们将正温度系数的电压扩大一个系数1.8/0.176=10.23,再与负温度相加,理论上正负就抵消了,得到了一个想要的带隙基准电压,并且可以计算一下这个电压在常温下的值约为55mV*10.23+736mV=1299mV。废话挺多了,我们继续。最后在继续设计之前,总结一下带隙基准的原理,很简单就一句话,将负温度系数电压和正温度系数电压通过合适的配比相加,实现正负相互抵消,得到零温度系数电压。图3 VA-VB温度特性。原创 2024-01-13 11:46:02 · 361 阅读 · 1 评论