带隙基准建模

好久不见，最近主要在考虑一些工艺库这类的问题，想找一个开源的工艺库，更加方便跟大家分享一些设计的电路。暂时还没有找到比较好的，所以暂时我还是会用现在这个.18的库继续设计。

另外呢，分享这种电路设计其实有个非常吃力不讨好的问题，就是很多人看了以后为了显示自己很聪明就提一些建议，类似你怎么不考虑XXX，用XXX结构就更好，你这个电路有XXX的问题之类的。事实上我承认这些人大概率确是聪明的，提的建议大概率也都是很有道理的，但是他们的确忽略了我分享这些电路的目的。我分享的只是这个电路的设计方法，重点在方法，而不是我的电路有多优秀，甚至为了把方法讲清楚我就应该用一些没有那么优秀的电路。其实你反过来也可以想想，如果我的电路性能贼好，比你在各种文献上看的都好了，那我还能随便分享吗？说这些呢，也不是说我们不接受批评，如果你有更聪明的建议仍然欢迎，主要是没时间一一回复，所以在这里统一解释一下。

废话挺多了，我们继续。之前设计的都是电流源，但是那些结构通常在芯片的设计中用的不多的，因为大多数时候芯片里面通常会用带隙基准，同时为其他模块提供参考电压和偏置电流。带隙基准的原理不再此处赘述了，我们直接用一个testbench来给带隙基准电路建个简单的模型，顺便也就讲清楚了原理。

图1 带隙基准建模

先来看VA这一点，书上说VA应该是负温度系数，DC扫描温度，结果图2

图2 VA温度特性

从图上可以看到VA的确如书上说的是负温度系数，随着温度增大VA减小，求得斜率为-1.8mV/C，同时我们记录下常温27℃下的电压值为736mV

再来看VA-VB，书上说是正温度系数，同样DC扫描得到VA-VB的温度特性如图3

图3 VA-VB温度特性

的确，是正温度系数，并且斜率为176uV/C，再一次记录下常温下的电压值为55mV。到这里正负系数都已经得到了。可以看到这两条温度曲线一个向上，一个向下，只不过两者的斜率略有不同，如果我们将正温度系数的电压扩大一个系数1.8/0.176=10.23，再与负温度相加，理论上正负就抵消了，得到了一个想要的带隙基准电压，并且可以计算一下这个电压在常温下的值约为55mV*10.23+736mV=1299mV。

我在testbench里面用一个VCVS实现了扩大倍数并相加的功能，如图1最右侧。DC扫描得到VREF的温度特性如图4，可以看到基本实现了零温度系数的目标。其中Vref在整个温度变化范围内的偏差为2.9mV，换算成ppm为14.6ppm，并不是一个非常好的值，但是这个结果除了三极管以外其他的元器件都已经是理想的电路了，因此可以认为这个工艺如果只考虑一阶温度系数补偿的话只能做到这个值了，之后我们在实际设计电路的时候就可以参照这个值作为设计的目标。

图4 VREF温度特性

最后在继续设计之前，总结一下带隙基准的原理，很简单就一句话，将负温度系数电压和正温度系数电压通过合适的配比相加，实现正负相互抵消，得到零温度系数电压。

好的，今天先介绍一下原理，大致了解下温度系数，之后我们就可以考虑如何用电路来实现了。

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