【刷题】计算机组成原理：存储器（转）

原文地址：https://blog.csdn.net/redRnt/article/details/83445031

重要考大题

一、存储器的分类

存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据，从不同的角度对存储器可以做不同的分类。

1、按存储介质分

• 半导体存储器（又称易失性存储器）：体积小，功耗低，存取时间短，电源消失的时候，所存的信息也随之消失。
• 磁表面存储器（非易失性存储器）：如磁盘
• 光盘存储器（非易失性存储器）：耐用，可靠，如光盘

2、按存取方式分

• 随机存储器（RAM）：任何一个存储单元内容都可以随机存取，像数组的下标，可以直接访问元素。访问速度较快，常用于制作主存和Cache
• 顺序存取存储器（SAM）:只能按某种顺序来存取，即与存取时间和存取单元的物理位置有关。（比如磁带）
• 直接存取存储器（DAM）:如磁盘
• 相联存储器（CAM）：按内容检索

3、按计算机中作用分

 

 二、计算机的层次结构

 

 存储器有三个性能指标，速度，容量，每位价格（位价）。
就一般而言，速度较高，位价越越高，容量越小。反之，速度越低，位价也越低，容量也就越大。
存储系统的层次结构主要体现在缓存——主存和主存——缓存两个存储层次上。如图：

 

 

• 缓存——主存层次：这一层面主要解决CPU与主存速度不匹配的问题，主存用来存放将要参与运行的程序和数据。但是其速度与CPU相差很大，为了使得他们之间的速度更好匹配，于是在主存与CPU之间插入了一种比主存更快，容量更小的高速存储器（Cache），因此只要把近期要使用的信息调入缓存，CPU便可以直接从缓存中获取信息。注意，主存与缓存中的数据调动是由硬件自动完成，对程序员是透明的。
• 主存——辅存层次：这一层面主要解决存储系统的容量问题，辅存的速度较低，但是容量大，用于存放暂时未用到的信息，当CPU要用到这些信息的时候，将辅存的内容调到主存中，供CPU直接访问，主存与辅存之间的数据调动是由硬件和操作系统共同完成的。

三、半导体随机存储芯片

半导体随机存储器芯片内集成有记忆功能的存储矩阵，译码驱动电路和读/写电路等等。

 

 读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作。
地址线：单向输入，其位数与芯片的容量有关
片选线：确定哪个芯片被选中（用来选择芯片）
数据线：双向输入，其位数与芯片可读出或者写入的位数有关，也与芯片容量有关。

存储容量

通常我们将存储容量表示为：
字数 X 位数，比如 64K X8位，其含义为，以8位构成一个字，一共有64个字。这个概念要相当熟悉，后面理解题目很有用。
下面我们来看一道例题：

一个64K x 8位的存储器，可以由（）个16k x1位的存储芯片构成？

分析：64K x 8位，说明该存储器是以8位构成一个字，因此，每读出一个字，需要选中8片16k x1位的存储芯片，而一片能表示16k，因此一共需要64/16 = 4片，根据组合的原理，一共需要4x8 = 32片。

 

 

从图中我们可以看出，相当于把32个芯片分成了4组，每组8片（表示8位）。
于是我们得出这样的结论：

 

半导体随机存取器，习惯上多称为RAM，按其存储信息原理不同，可以分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)

 

SRAM

SRAM存储原件所使用的mos管多，占用硅片面积大，集成度低，但是采用触发器工作原理存储信息，因此即使信息读出之后，它仍然保持原状，不需要再生，但是电源掉电时，原存有的信息就会消失，因此它属于易失性存储器。因为这个比较的简单，因此就简单介绍一下就好：
工作原理：触发器
优点：

• 能长久保存信息
• 速度快，工作稳定
• 无需刷新
• 无需读后再生

缺点：功耗大，集成度低，价格高。
典型应用：cache

DRAM（这个是重点）

与SDRAM相比，DRAM所用的mos管少，占硅面积小，因而功耗小，集成度高但是因为采用了电容存储电荷的原理来寄存信息，会发生漏电现象，所以要保持状态不变，需要定时刷新，因为读操作会使得状态发生改变，故需要读后再生。且速度比SRAM慢。但是由于其功耗小，集成度高，被广泛应用于计算机中。
典型应用：主存

存储记忆原理

 

 

 定义：存“0”：C中没有电荷，存“1”：C中有电荷
读入的时候，T中的高电平使得T通导，如果此时C有电荷，那么数据线就会产生电流，视为读出1.否则视为读出0
写入的时候，若为高电平，则经过T对C充电，充电后有电荷，于是存1，若为低电平，C经过T时放电，C中没有电荷，于是存0.

DRAM的刷新

问：为什么要对DRAM进行刷新？如何进行刷新？
由于动态存储器的原理是容存储电荷的原理，且访问存储单元是随机的，有可能某些存储单元长期得不到访问，其存储单元内原信息就会慢慢消失（原因）。刷新的过程实质上是将原信息读出，再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程，称为读后再生。
下面介绍一下刷新过程中要用到的名词。

• 刷新周期：在规定的时间内，对DRAM全部基本单元进行一次刷新（即两次刷新之间的相隔时间），一般为ms级别，2ms。
• 死时间：刷新时，某段时间需要暂停读写操作，这段时间由于外界不能对存储器进行操作，因此称为死时间。
• 存取周期：DRAM完成一次读写操作所需要的最短时间
• 死时间率：

 

 

DRAM常见的刷新方式有三种：集中刷新，分散刷新，异步刷新
刷新的过程为：以行为单位，读出一行中全部单元的数据吗，经过信号放大后，同时写回。读出时候一定断开存储器的输出。

集中刷新：

做法：在刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间进行刷新（逐行进行），此时必须停止读写操作。
看看下面的例题：

设对128 x 128矩阵的存储芯片进行刷新，若存取周期为0.5us，刷新周期为2ms，采用集中刷新的方式，那么对128行集中刷新，一共需要（）us？死时间率为（）%？

分析：刷新一遍的时间 = 存取周期 x行数，于是可以求得刷新时间。在刷新时间内，不能进行读写操作，因此死时间就是刷新的那段时间，占用的存取周期数值上等于行数。利用计算公式算出死时间率为32.%。