原文地址:https://blog.csdn.net/redRnt/article/details/83445031
重要考大题
一、存储器的分类
存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据,从不同的角度对存储器可以做不同的分类。
1、按存储介质分
- 半导体存储器(又称易失性存储器):体积小,功耗低,存取时间短,电源消失的时候,所存的信息也随之消失。
- 磁表面存储器(非易失性存储器):如磁盘
- 光盘存储器(非易失性存储器):耐用,可靠,如光盘
2、按存取方式分
- 随机存储器(RAM):任何一个存储单元内容都可以随机存取,像数组的下标,可以直接访问元素。访问速度较快,常用于制作主存和Cache
- 顺序存取存储器(SAM):只能按某种顺序来存取,即与存取时间和存取单元的物理位置有关。(比如磁带)
- 直接存取存储器(DAM):如磁盘
- 相联存储器(CAM):按内容检索
3、按计算机中作用分
二、计算机的层次结构
存储器有三个性能指标,速度,容量,每位价格(位价)。
就一般而言,速度较高,位价越越高,容量越小。反之,速度越低,位价也越低,容量也就越大。
存储系统的层次结构主要体现在缓存——主存和主存——缓存两个存储层次上。如图:
- 缓存——主存层次:这一层面主要解决CPU与主存速度不匹配的问题,主存用来存放将要参与运行的程序和数据。但是其速度与CPU相差很大,为了使得他们之间的速度更好匹配,于是在主存与CPU之间插入了一种比主存更快,容量更小的高速存储器(Cache),因此只要把近期要使用的信息调入缓存,CPU便可以直接从缓存中获取信息。注意,主存与缓存中的数据调动是由硬件自动完成,对程序员是透明的。
- 主存——辅存层次:这一层面主要解决存储系统的容量问题,辅存的速度较低,但是容量大,用于存放暂时未用到的信息,当CPU要用到这些信息的时候,将辅存的内容调到主存中,供CPU直接访问,主存与辅存之间的数据调动是由硬件和操作系统共同完成的。
三、半导体随机存储芯片
半导体随机存储器芯片内集成有记忆功能的存储矩阵,译码驱动电路和读/写电路等等。
读写电路:包括读出放大器和写入电路,用来完成读/写操作。
地址线:单向输入,其位数与芯片的容量有关
片选线:确定哪个芯片被选中(用来选择芯片)
数据线:双向输入,其位数与芯片可读出或者写入的位数有关,也与芯片容量有关。
存储容量
通常我们将存储容量表示为:
字数 X 位数,比如 64K X8位,其含义为,以8位构成一个字,一共有64个字。这个概念要相当熟悉,后面理解题目很有用。
下面我们来看一道例题:
一个64K x 8位的存储器,可以由()个16k x1位的存储芯片构成?
分析:64K x 8位,说明该存储器是以8位构成一个字,因此,每读出一个字,需要选中8片16k x1位的存储芯片,而一片能表示16k,因此一共需要64/16 = 4片,根据组合的原理,一共需要4x8 = 32片。
从图中我们可以看出,相当于把32个芯片分成了4组,每组8片(表示8位)。
于是我们得出这样的结论:
半导体随机存取器,习惯上多称为RAM,按其存储信息原理不同,可以分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)
SRAM
SRAM存储原件所使用的mos管多,占用硅片面积大,集成度低,但是采用触发器工作原理存储信息,因此即使信息读出之后,它仍然保持原状,不需要再生,但是电源掉电时,原存有的信息就会消失,因此它属于易失性存储器。因为这个比较的简单,因此就简单介绍一下就好:
工作原理:触发器
优点:
- 能长久保存信息
- 速度快,工作稳定
- 无需刷新
- 无需读后再生
缺点:功耗大,集成度低,价格高。
典型应用:cache
DRAM(这个是重点)
与SDRAM相比,DRAM所用的mos管少,占硅面积小,因而功耗小,集成度高但是因为采用了电容存储电荷的原理来寄存信息,会发生漏电现象,所以要保持状态不变,需要定时刷新,因为读操作会使得状态发生改变,故需要读后再生。且速度比SRAM慢。但是由于其功耗小,集成度高,被广泛应用于计算机中。
典型应用:主存
存储记忆原理
定义:存“0”:C中没有电荷,存“1”:C中有电荷
读入的时候,T中的高电平使得T通导,如果此时C有电荷,那么数据线就会产生电流,视为读出1.否则视为读出0
写入的时候,若为高电平,则经过T对C充电,充电后有电荷,于是存1,若为低电平,C经过T时放电,C中没有电荷,于是存0.
DRAM的刷新
问:为什么要对DRAM进行刷新?如何进行刷新?
由于动态存储器的原理是容存储电荷的原理,且访问存储单元是随机的,有可能某些存储单元长期得不到访问,其存储单元内原信息就会慢慢消失(原因)。刷新的过程实质上是将原信息读出,再由刷新放大器形成原信息并重新写入的再生过程,称为读后再生。
下面介绍一下刷新过程中要用到的名词。
- 刷新周期:在规定的时间内,对DRAM全部基本单元进行一次刷新(即两次刷新之间的相隔时间),一般为ms级别,2ms。
- 死时间:刷新时,某段时间需要暂停读写操作,这段时间由于外界不能对存储器进行操作,因此称为死时间。
- 存取周期:DRAM完成一次读写操作所需要的最短时间
- 死时间率:
DRAM常见的刷新方式有三种:集中刷新,分散刷新,异步刷新
刷新的过程为:以行为单位,读出一行中全部单元的数据吗,经过信号放大后,同时写回。读出时候一定断开存储器的输出。
集中刷新:
做法:在刷新周期内,对全部存储单元集中一段时间进行刷新(逐行进行),此时必须停止读写操作。
看看下面的例题:
设对128 x 128矩阵的存储芯片进行刷新,若存取周期为0.5us,刷新周期为2ms,采用集中刷新的方式,那么对128行集中刷新,一共需要()us?死时间率为()%?
分析:刷新一遍的时间 = 存取周期 x行数,于是可以求得刷新时间。在刷新时间内,不能进行读写操作,因此死时间就是刷新的那段时间,占用的存取周期数值上等于行数。利用计算公式算出死时间率为32.%。