MOS开关过程

电机控制笔记

已于 2025-05-24 14:29:35 修改

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文章标签：嵌入式硬件

于 2025-05-24 14:28:30 首次发布

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1 开关模型

现在，让我们来研究一下 MOSFET 晶体管的实际开关行为。为了更好地理解基本过程，电路的寄生电感将被忽略。。此外，以下描述涉及到钳位电感式开关，因为开关模式电源中所用的大多数 MOSFET 晶体管和高速栅极驱动电路都工作在该工作模式下。
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图 3 中显示了最简单的钳位电感式开关模型，其中直流电流源代表电感器。在短暂的开关切换期间，它的电流可以认为是常数。二极管在 MOSFET 关断时提供一条电流路径，并将器件的漏极钳位到由电池表示的输出电压

2 开通过程

MOSFET 晶体管的开通动作可分为如 图 4 中所示的 4 个阶段。
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第一步，器件的输入电容从 0V 充电至 V_TH。在此期间，大部分栅极电流用于对 C_GS 电容器充电。少量电流也会流经 C_GD 电容器。随着栅极端子电压升高，C_GD 电容器的电压将略有下降。这个期间称为开通延时时，因为器件的漏极电流和漏极电压保持不变。

栅极充电至阈值电平后，MOSFET 就能载流了。在第二个阶段中，栅极电平从 V_TH 升高到米勒平台电平 V_GS,Miller。当电流与栅极电压成正比时，这是器件的线性工作区。在栅极侧，就像在第一阶段中那样，电流流入 C_GS 和 C_GD 电容器中，并且 V_GS 电压升高。在器件的输出端，漏极电流升高，同时漏源电压保持之前的电平（V_DS,off）。可以通过查看图 3中的原理图来了解。在所有电流传输到 MOSFET 中并且二极管完全关断能够阻止其 PN 结上的反向电压之前，漏极电压必须保持输出电压电平。

进入开通过程第三阶段后，栅极已充电至饱电压（V_GS,Miller），可以承载完整的负载电流且整流器二极管关断。此时，允许漏极电压下降。当器件上的漏极电压下降时，栅源极电压保持稳定。这就是栅极电压波形中的米勒平台区域。驱动器提供的所有栅极电流都被转移，从而对 C_GD 电容器充电，以便在漏源极端子上实现快速的电压变化。现在，器件的漏极电流受到外部电路（这是直流电流源）的限制，因此保持恒定。

开通过程的最后一步是通过施加更高的栅极驱动电压，充分增强 MOSFET 的导通通道。V_GS 的最终幅值决定了开通期间器件的最终导通电阻。所以，在第四阶段中，V_GS 从 V_GS,Miller 上升至最终值 V_DRV。这通过对 C_GS 和 C_GD 电容器充电来实现，因此现在栅极电流在两者之间分流。当这些电容器充电时，漏极电流仍然保持恒定，而由于器件的导通电阻下降，漏源电压略有下降。

3 关断过程

MOSFET 晶体管的关断过程说明基本上与上文所述的开通过程相反。开始时 V_GS 等于 V_DRV，器件中的电流是由图 3 中的 IDC 表示的满负载电流。漏源电压由 IDC 和 MOSFET 的 R_DS(on) 定义。出于完整性考虑，图 5 中显示了四个关断步骤。
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第一个阶段是关断延迟，需要将 C_ISS 电容从初始值放电至米勒平坦电平。在这段时间内，栅极电流由 C_ISS 电容器自己提供，并流经 MOSFET 的 C_GS 和 C_GD 电容器。随着过驱电压降低，器件的漏极电压略有上升，漏极的电流保持不变。

在第二阶段，MOSFET 的漏源电压从 I_D·R_DS(on) 上升至最终的 V_DS,off 电平，由整流器二极管根据图 3 简化原理图错位至输出电压。在此时间段内，与栅极电压波形中的米勒平坦区域对应，栅极电流完全是 C_GD 电容器的充电电流，因为栅源极电压是恒定的。此电流由功率级旁路电容器提供，并从漏极电流中减去。总漏极电流仍然等于负载电流，也就是图 3 中由直流电流源表示的电感器电流。

第三阶段的开始用二极管开通表示，因此为负载电流提供了一个替代路径。栅极电压继续从 V_GS,Miller 下降至 V_TH。绝大部分栅极电流来自 C_GS 电容器，因为 C_GD 电容器实际上在前一个阶段中就已经充满电子了。在此间隔结束时，MOSFET 处于线性工作状态，栅源极电压下降导致漏极电流减小并接近于零。同时，由于正向偏置整流器二极管的作用，漏极电压在 V_DS,off 时保持稳定。

关断过程的最后一步是将器件的输入电容完全放电。V_GS 进一步下降，直至达到 0V。与第三关断阶段类似，栅极电流的更大一部分由 C_GS 电容器提供。器件的漏极电流和漏极电压保持不变。

概括而言，得出的结论是，在四个阶段中，MOSFET 晶体管可在最高和最低阻抗状态（开通或关断）间切换。四个阶段的长度是寄生电容值、电容上所需的电压变化和可用的栅极驱动电流的函数。这就突显出正确的组件选择以及出色的栅极驱动设计对于高速高频开关应用非常重要。

遗憾的是，这些数字与特定测试条件和电阻负载对应，因此难以比较不同制造商的产品。而且，在具有有限电感负载的实际应用中，开关性能与数据表中给出的数字有显著差异。