可控硅失效现象_晶闸管常见损坏原因分析(全）

1.晶闸管自身的因素

从晶闸管元件参数本身考虑，有些因素可能会造成元件的损坏，这可以从解剖大量损坏的晶闸管元件芯片上分析看出。

(1)晶闸管元件的标准规定，芯片内部P—N结结温不得超过115摄氏度，当结温超过临界允许结温时，元件所能承受的阻断电压将急剧下降。

(2)电压上升率Du/dt、电流上升率DI/dt对晶闸管使用的影响。晶闸管对电压上升率是有限的，晶闸管由导通转为关断时，电压突然加在元件的两端，因为P—N结有一定的电容量，如果电压上升率太大，则会产生一定的漏电流，使元件不关断而损坏。晶闸管的电流上升率也是有限的。当元件使用在电流比较大、频率比较高的情况下，由于电流上升率较大，在芯片上电流来不及扩散，产生局部结温过高而损坏。

(3)关断时间对晶闸管的影响。晶闸管的关断时间对逆变电路工作有较大的影响，工作频率愈高要求的关断时间愈小，晶闸管从导通到关断需要一定时间，储存在P—N结中的电荷(载流子)要逐渐放掉，如果关断时间太长，则使晶闸管不能可靠关断，使逆变电路换流失败而造成过流现象导致元件的损坏。

2.控制线路的因素

控制线路设计上的不完善是电源运行不稳定、不安全的关键所在，也是晶闸管损坏的主要原因之一，其表现为以下几个方面：

(1)电源的控制线路不能很好地实时跟踪与控制电源负载的变化。也就是说，电流电压出现波动时，不能及时地反馈这种波动信号，从而造成主电路电流电压的不稳定，出现过电流、过电压现象。这也是目前国内中频电源控制线路普遍存在的问题。

(2)控制电路中对过电流过电压的保护措施不够完善&