pmos低电平驱动_三极管和MOS管驱动电路的正确用法

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1 三极管和MOS管的基本特性

三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：

图1 左NPN型三极管，右PNP型三极管

MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管(简称PMOS)和N沟道MOS管(简称NMOS)，符号如下(此处只讨论常用的增强型MOS管)：

图2

2 三极管和MOS管的正确应用

(1)NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压(此处为GND)0.7V，即发射结正偏(VBE为正)，NPN型三极管即可开始导通。

基极用高电平驱动NPN型三极管导通(低电平时不导通)；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；优点是，①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。

(2)PNP型三极管，适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压(此处为VCC)0.7V，即发射结反偏(VBE为负)，PNP型三极管即可开始导通。

基极用低电平驱动PNP型三极管导通(高电平时不导通)；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC；优点是，①使基极控制电平由低变高时࿰