1
、
Abrupt junction approximation
(突变结近似)
The
assumption
that
there
is
an
abrupt
discontinuity
in
space
charge
density
between the space charge region and neutral semiconductor region.
认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。
2
、
Depletion layer approximation
(耗尽层近似)
The number of carriers is almost zero due to the strong built-in electric field in the
space charge region, that the charge in the space charge region is almost completely
provided ionized impurity, this space charge region is called depletion layer.
由于空间电荷区较强的内建电场,
载流子的数量几乎为零,
因此可以认为空间
电荷区中的电荷几乎完全是由电离杂质所提供的,
这种空间电荷区就称为耗尽层。
3
、
Built-in electric field
(内建电场)
An
electric
field
due
to
the
separation
of
positive
and
negative
space
charge
densities in the depletion region.
由于耗尽区正负空间电荷相互分离而形成的电场。
4
、
Built-in potential harrier
(内建电势差)
The electrostatic potential difference between the p and n regions of a pn junction
in thermal equilibrium.
热平衡状态下
pn
结内
p
区与
n
区的静电电势差。
5
、
Depletion region/space charge region/barrier region
(耗尽区,空间电荷区,
势垒区)
The
region
on
either
side
of
the
metallurgical
junction
in
which
there
is
a
net
charge density due to ionized donors in the
n-region and ionized acceptors in the p
region.
冶金结两侧由于
n
区内施主电离和
p
区内受主电离而形成的带净正电与负电的
区域。
详:
pn
结界面两侧半导体中的载流子由于存在浓度差梯度而互相向对方区域
扩散,在
pn
结界面附近
n
区与
p
区分别留下了不可动的电离施主和电离受主杂
质离子,分别带有正负电荷,形成空间电荷区,在该区域中建立有电场,形成电
位差,
产生相应的势垒,
因此
pn
结空间电荷区又称为
pn
结势垒区,
在势垒区中
载流子浓度趋于
0
,即载流子基本“耗尽”
,因此又称为“耗尽层”
。
6
、
Depletion layer capacitance / junction capacitance/barrier capacitance
(耗尽层电
容,结电容,势垒电容)
The capacitance of the pn junction under reverse bias.
反向偏置下,
pn
结的电容。
7
、
Diffusion capacitance
(扩散电容)
The capacitance
of a forward-biased
pn junction
due to
minority carrier storage
effects.
正偏
pn
结内由于少子的存储效应而形成的电容。
详:
对于正偏
pn
结,
当外加偏压增加时,
注入
n
区的空穴增加,在
n
区的空
穴扩散区内形成空穴积累,为保持电中性条件,扩散区内电子浓度也相应增加,
电子注入
p
区情形类似。
这种扩散区中的电荷随外加偏压变化而变化所产生的电
荷存储效应等效为电容,称为扩散电容。
8
、
Diffusion conductance
(扩散电导)
The
ratio
of
a
low-frequency,
small-signal
sinusoidal
current
to
voltage
in
a