电力电子（1）- 半导体

电力电子（1）- 半导体

掺杂、自由电子和空穴

• 物质由原子组成。
• 不同元素的原子，结构不同。半导体元素（硅、砷、锗等） 的原子最外层有活跃的 价电子（valence electron）。
• 两个原子之间的价电子能够两两成对地形成共价键（covalent bond）。
• 价电子围绕原子核旋转，如果关注其的能量属性，将发现它的能量取值是离散的，也就是说价电子只能处在若干个能级之一。
• 价电子从一个能级跃迁到更高能量的能级需要从外界吸收能量，比如升温。
• 一个能级称为价电子带（valence band），比它高一个级别的能级称为导带（Conduction band），它们的能量差称为禁带（forbidden bandgap）
• 当由于某种原因（热运动），价电子脱离共价键的束缚，解放出来，就成为了 自由电子（free electron），它在共价键原有的位置就空了出来，称它为 空穴（hole）
• 自由电子和空穴统称为 载流子（charged carrier）。顾名思义，当自由电子朝一定方向运动时，就有了电流。而对于空穴来说，当附近的共价键的价电子由于热运动恰好运动至此，填补了这个空穴，而在原先的共价键的位置制造了新的空穴，这一过程就好似空穴的运动，也能造成电流。
• 自由电子显负电荷，空穴显正电荷。
• 本征半导体（intrinsic semiconductor） 是纯净的半导体，即没有其他杂质 掺杂（doping） 到里头。
• 如果往本征半导体（通常是硅）中掺杂磷元素（phosphoru），磷原子能够像硅原子那样融合到材料中，类似地形成共价键。然而，磷原子最外层的价电子有五个，比硅元素的多一个，于是就产生了更多的自由电子。磷原子由此被称为施主杂质（donor impurity）。应注意到，此时并未有空穴的生成，而是磷原子核本身显正电荷。然而原子核是不能自由运动的，因而总的来说，只有自由电子这一载流子的浓度得到提高。此时，这种掺杂后的半导体称为N型半导体（n-type semiconductor），自由电子作为多数载流子（majority carrier），空穴则相应的为少数载流子（minority carrier）。相似的，用硼元素掺杂的称作P型半导体(p-type semiconductor)，硼原子称为受主杂质（acceptor impurity），空穴作为多数载流子。

漂移电流和扩散电流

• 如若有电场作用在半导体上，自然会形成一个电压使得载流子发生运动，从而形成电流，这种形式的电流被称为漂移电流（drift current）。漂移电流的大小与载流子浓度相关，于是通过掺杂的程度，有能力改变半导体的导电性（conductivity）。
• 物质自发地从高浓度的地方向低浓度的地方扩散。因这种扩散造成的电流，称为扩散电流（diffusion current）

PN结

• 以上图方式来进行半导体的掺杂，这就构成了PN结（PN junction），它们的交接面，称为冶金结（metallurgical junction）
• 由于两边的载流子浓度差，载流子会发生运动，N侧的自由电子流向P侧，P侧的空穴流向N侧。如果不施加外界的电场，则这种扩散在一段时间后将达到动态平衡。从自由电子来看，这是因为自由电子到达P侧后和当地的空穴发生结合，而电荷量是守恒的，由于当地价电子的存在，P侧此时显负电荷。同理，空穴到达N侧后与当地的自由电子发生结合，由于当地原子核的存在，N侧此时显正电荷。这时PN结内部就形成了内电场，如下图所示。 注意到这个电场的方向是抵抗前述的扩散运动的。
  
• 这个内部电场区域称为空间电荷区（space-charge region），也称为耗尽层（depletion region）。电场中的电势差称为势垒（built-in potential barrier）。