如何形成欧姆接触_南科大深港微电子学院于洪宇课题组在IEEE EDL发表AlGaN/GaN欧姆接触重要研究进展...

最新推荐文章于 2024-03-30 22:38:44 发布
最新推荐文章于 2024-03-30 22:38:44 发布
阅读量1k 收藏
点赞数
文章标签： 如何形成欧姆接触
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_39725924/article/details/111653586
版权
于洪宇课题组在《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》发表研究，提出使用TixAly合金金属层作为欧姆直接接触层，成功实现<0.1Ω∙mm的低欧姆接触，为无金欧姆接触工艺提供新途径。
摘要由CSDN通过智能技术生成
197bd7b97142f8ee923141c278ed2c90.png

近日，南科大深港微电子学院教授于洪宇课题组在AlGaN/GaN欧姆接触领域取得最新进展，该成果发表在国际微电子权威期刊《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》(IF：3.753)。

13e7a1a412382d464d1eb08d9b01858b.png

3fa5f21218635914c2253f30a53b025d.png

AlGaN/GaN HEMTs 具有高的电子迁移率二维电子气2DEG，在射频以及功率器件中有极大的应用前景。其中，降低金属半导体的欧姆接触电阻对降低器件源漏电极寄生电阻起到关键作用，直接影响到器件的源漏输出电流、导通电阻、击穿电压等性能参数。高质量的低欧姆接触在AlGaN/GaN射频器件中尤为重要。

对于AlGaN/GaN欧姆接触，传统的Ti/Al多层膜，比如Ti/Al/W, Ti/Al/TiN, Ti/Al/Ti/TiN常被应用到无金欧姆接触工艺中。在退火过程中Ti能够有效萃取AlGaN中的N，从而在AlGaN中留下大量N空位从而提高电子浓度，有利于欧姆接

最低0.47元/天 解锁文章
weixin_39725924
关注
2021-09-14光学与电学协同仿真模型助力开发高效率AlGaN基深紫外LED
simucal的博客
09-14 377
提高深紫外LED光提取效率关键手段之一是降低p-GaN层对深紫外光吸收而产生的光损耗效应，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队最近依托DUV LED光学与电学协同仿真模型技术，提出了两种行之有效的解决方案。具体成果如下： 具有横向过刻蚀p-GaN层的DUV LED结构 在具有倾斜侧壁阵列的DUV LED结构中， p电极并没有完全覆盖p-GaN层，这就导致了电流主要在有电极覆盖的区域注入，而外围区域电流密度较小，因此倾斜侧壁LED的发光主要是集中于电极的下方（即Device 1）。然而p-GaN层对深紫外光的吸
如何形成欧姆接触_欧姆接触与肖特基接触
weixin_39872257的博客
12-01 3881
其实很久就想开始写一篇关于欧姆接触和肖特基接触的科普类的文章（针对于半导体器件方向的萌新），来带领大家认知这个领域。 引言:1. 为什么欧姆接触和肖特基接触这么重要 在做半导体器件，我们要在超净间进行器件装配，即为器件的装配（device fabrication）。关于器件的装配的一般步骤，已经前人总结的非常好，视频连接放在下面，看了很多视频，还是支持下我们中芯国际的 中芯国际工艺视...
讲讲那些 H-桥电路 的基本道理
TSINGHUAJOKING
09-08 1万+
  01 H-桥电路基础 1.简介 你也许通过线上-线下的资料对于搭建H-桥电路有所了解，毕竟这些电路相对比较简单。但有些资料介绍H-桥电路比较精准，但有些差一点。当你实际使用桥电路的时候也许就会意识到，很多电路特性实际上并没有在网络资料中说明清楚。下面的资料是来自于 H-桥电路基础 网络文章的内容，作者在自行设计uM-H桥电路的过程中写的博文，对于H桥电路的原理和 应用都充满着热情进行介绍。 ▲ 文章作者制作的 uM-H桥电路模块 虽然作者尽量避免涉及到H桥电路、电机控制原理等更深入的理论，但
ipad如何连接电脑_ipad怎么连接电脑？教你怎么传送资料
weixin_39989159的博客
11-16 4961
有些朋友想将电脑上下载的电影或者资料拷贝到ipad上，但是却不知道ipad连电脑的方法，小编觉得ipad连电脑的方法其实很简单，接下来就来看看小编是怎么操作的吧！现在不少菇凉都购买了ipad，但是ipad存储的数据多了后容量就不够了，其实您完全可以让ipad怎么连接电脑，然后将资料拷贝到电脑上去，下面小编就来说说ipad怎么连接电脑。ipad怎么连接电脑首先在电脑上下载并安装itunes软件。2....
IEEE期刊论文模板
知识搬运者
12-09 1万+
4、在弹出的模板选择器页面点击“Transactions,Journals and Letters”6、在弹出的页面中选择文章类型，论文一般选“Original research and Brief”3、在弹出的模板下载页面点击IEEE模板选择器“IEEE Template Selector”5、在弹出的页面输入需要查询的期刊名称或在下拉框中选择需要查询的期刊名称。8、在弹出的页面点击“Download Template”，即可完成下载。7、在弹出的页面选择要下载的模板类型，一般有。
北大30岁女博导获2019 IEEE青年成就奖，全球仅三人，深耕微纳电子、神经形态计算
qq_42370150的博客
01-07 452
在 2019 年 IEEE 青年成就奖的颁奖典礼上，全球共有 3 位研究者获奖，来自北大的黄芊芊就是其中一位。她是亚洲地区的唯一获奖者，也是该奖项设立以来第二位来自中国科研单位的获奖者。 近日，在第 65 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，30 岁的北京大学微纳电子学系博士生导师黄芊芊获得了 2019 IEEE Electron Devices Society Early Caree...
基于有限元的交流刚性接触网定位点刚度仿真研究_代洪宇.caj
10-24
基于有限元的交流刚性接触网定位点刚度仿真研究_代洪宇.caj
基于Se和有机无机钙钛矿异质结的_省略_谱光电探测器制备及其光电特性研究_陈洪宇.pdf
06-07
本研究的主要内容涉及了高效、稳定的p型掺杂在半导体材料中的制备困难问题。通过对Se（硒）材料的微米线制备，以及其与有机无机钙钛矿材料CH3NH3PbCl3构建的p-n结型光电探测器的研究，取得了显著的研究成果。 首先...
空气悬架的MATLAB和ADAMS的联合仿真研究.pdf
07-10
空气悬架系统对于提升汽车行驶的平稳性具有至关重要...整个研究项目在2012年3月20日完成并投稿，经过同行评审后于2013年在《机械科学与技术》期刊上发表。这一研究成果对于汽车悬架设计和控制领域具有重要的参考价值。
p型GaN欧姆接触的研究进展
12-09
潘群峰，刘宝林（厦门大学物理系，福建 厦门 361005）摘要：宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一，近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几 个问题，回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。 关键词：p型；GaN；欧姆接触 中图分类号： TN304.2+3 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2004)08-0015-041 引言 以GaN为代表的III族氮化物因具有一系列优越的性质，而成为近年来化合物半导体研究的热点之一。利用其禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、导热性能良好等特点适
address_web.json
05-16
address_web.json
如何形成欧姆接触_肖特基势垒的计算金属源漏接触
weixin_39887577的博客
12-11 3491
【金属-半导体接触】金属与半导体的接触分为两类：第一类是欧姆接触，指的是其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，在器件工作时，大部分的电压降在有效区域(Active region)而不在接触面，且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。形成欧姆接触的条件有两种：金属与半导体间有低的势垒高度或者半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧1012 cm-3)；第二类是肖特基接触，指具有整流特性...
【IEEE】IEEE刊物（期刊/会议）投稿超详细流程官方讲座（2022讲座笔记）
Everyday try to become better -Kobe Bryant
04-06 1万+
文章目录IEEE投稿1.IEEE出版渠道选择 IEEE投稿 课程地址：https://workdrive.zohopublic.com.cn/external/aa630499252b5a1558bed7bc1ebf414d45973d3563d344f4ed124fdc5e7ed06b 1.IEEE出版渠道选择 投稿一般不选择杂志 特刊往往是一期具备特定主题的正刊，比如疟疾疾病在某国家的流行情况及治疗研究进展。但是由于拥有特定的主题，特刊往往在被SCI数据库收录的时候加上
IEEE论文模板下载
学习历程记录和分享
03-21 236
根据自己的类型选择。
常关型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT作为片上电容器的建模与分析
最新发布
weixin_45293089的博客
03-30 984
提出了一种精确基于物理的解析模型，用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向AlGaN势垒层的外扩散，该方程与AlGaN/GaN量子阱中的电荷方程一起求解。该模型在宽偏置范围内得到了验证，与实验结果显示出良好的一致性。还使用该模型分析了单个设备参数对电容-电压（C-V）特性的影响。此外还提出了一个简化等效电路模型，以直观解释这些通常关断型器件的C-V特性。
金半接触-肖特基接触(Schottky contact)-欧姆接触(Ohmic contact)
热门推荐
weixin_45293089的博客
04-13 1万+
在肖特基接触中，金属与半导体之间形成一个势垒，这个势垒可以控制电子的流动，从而实现电流的整流和调制。肖特基接触是指金属与半导体形成的接触，其接触电阻比欧姆接触大，接触电流与电压不呈线性关系。在欧姆接触中，金属与半导体之间没有形成明显的势垒，电子可以自由地通过金属和半导体之间的接触面，形成良好的电流通路。需要注意的是，某些情况下，金属与半导体之间的接触可能同时具有欧姆接触和肖特基接触的特性，这种接触被称为“欧姆-肖特基接触”（Ohmic-Schottky contact）。
IEEE期刊/会议 latex/word 模板下载
Stu_art的博客
09-01 474
使用此网站 https://journals.ieeeauthorcenter.ieee.org/create-your-ieee-journal-article/authoring-tools-and-templates/tools-for-ieee-authors/ieee-article-templates/ 找到其中左侧IEEE Article Templates选项，如下图所示 点击右侧IEEE Template Selector 找到相应期刊/会议的名字 根据提示选择期刊名字，下载文献类型，
如何形成欧姆接触_金半接触及异质结
weixin_40009063的博客
12-11 3762
半导体器件通常要和外部电路相连接，金半接触是必不可少的。而当我们进行外延时，必不可少的就是异质结结构，而异质结又涉及一个概念叫超晶格结构，接下来，我们将对金半接触进行简要介绍并介绍超晶格结构肖特基接触欧姆接触超晶格结构1. 肖特基接触，又称整流接触。其本质是：半导体的费米能级EF > 金属费米能级。 我们设∅s为半导体功函数，∅m为金属功函数，我们很明显能观察到...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值