【金属-半导体接触】
金属与半导体的接触分为两类:第一类是欧姆接触,指的是其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,在器件工作时,大部分的电压降在有效区域(Active region)而不在接触面,且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。形成欧姆接触的条件有两种:金属与半导体间有低的势垒高度或者半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧1012 cm-3);第二类是肖特基接触,指具有整流特性的金属-半导体接触,就如同二极管具有整流特性,是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域,金属和N型半导体材料相接触的时候,在界面处半导体的能带弯曲,形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。
【肖特基势垒的作用机制】
金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金属—半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级。肖特基势垒相较于PN界面最大的区别在于具有较低的界面电压,以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)空间电荷区宽度。由半导体到金属,电子需要克服势垒;而由金属向半导体,电子受势垒阻挡。在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降;相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高。使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属—半导体接触均如此)。
如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数,对于N型半导体,金属的功函数小于半导体的功函数,以及半导体杂质浓度不小于109/cm3数量级时会出现欧姆接触,它会因杂质浓度高而发生隧道效应,以致势垒不起整流作用。并非所有的金属-半导体接