nand flash多少次写_为什么NAND闪存会越来越便宜

IC君的第39篇原创文章 (欢迎关注公众号 icstudy)

当你用手机看到这篇文章的时候,今天要讲的主角——NAND闪存已经开始起作用了。微信在运行的时候会产生一大堆缓存文件,这些文件都保存在手机的存储器上。比如下图买手机时候都会选择内存容量。这里的内存的选项其实不太准确,内存是你的app在运行

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时读取临时数据的地方,是掉电就消失的东西。而手机的存储器存放手机的照片、音乐、应用等,是掉电还存在的,重新上电后还能读取这些内容。

手机的大容量存储器基本上都是用NAND 闪存(flash)实现的,每年十几亿部手机的出货量,使得NAND闪存是最近十年非挥发(掉电不丢失数据)记忆存储器领域的主角。

大家平时用的SSD固态硬盘实际上也是NAND闪存,为了让存储容量更大,从普通的二维(2D)NAND发展到了三维(3D)NAND,通常层数越多,容量越大,当然工艺难度也就越大。今天先不讲3D NAND的原理,那又是一个很长的故事。

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2018年市场上主流SSD的工艺是64层TLC NAND产品,2018年末SSD的每GB价格已经降到1元以下,IC君也入手了一块替换家里老电脑的机械硬盘,打开软件确实有飞一般的感觉。看看iPhone 128GB和256GB的价格,是不是觉得巨坑!

作为一个技术公众号聊了半天还没聊到技术,太不像话了,赶紧切入正题。

2019年ISSCC 非挥发存储器(Non-Volatile Memory 掉电非易失) 部分的五篇文章中有三篇都是讲3D NAND。

NAND市场的两大巨头三星和东芝-西数(以下简称东芝)都在ISSCC2019发表了关于3D NAND的文章,其中东芝的一篇“A 1.33Tb 4-bit/Cell 3D-Flash Memory on a 96-Word-Line Layer Technology”宣告了3D NAND 将进入QLC时代。

从SLC(1-bit/cell 1存储单元可以存1比特的数据)

到MLC(2-bit/cell 1存储单元可以存2比特的数据),

再到TLC(3-bit/cell 1存储单元可以存3比特的数据),

最终QLC(4-bit/cell 1存储单元可以存4比特的数据)

的历程,2D NAND 已经走过一遍。

3D NAND 凭借器件特性起步就是TLC,TLC的3D NAND拥有出色的性能和可靠性,很快占领主流市场。为了追求更大的容量和更低的价格,3D NAND 除了在工艺上从64层向96/128层发展之外,也开始从TLC转向QLC。

从原来的的普通房子变成高楼大厦,单人间变成四人间,总价格不变的情况下,单位容量的价格是不是越来越便宜了呢?

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对于4bit的数据而言,有2^4=16个状态。不同阈值电压的存储单元会产生不同的电流,这样就可以用来区分状态。为了实现QLC我们需要有足够宽的Vth window(阈值电压范围),这样在每个cell中才能存储16个独立的状态。

一个比较容易想到的方法是把阈值电压的低点移到到负压区域,这样就能够扩展Vth window。但是负的WL(字线)电压需要三阱(triple-well) 工艺,会增加工艺的成本。source-bias negative sense (SBNS) 的方法,能够在不需要WL负电压的情况下就可以读取负阈值电压的cell。东芝在文章中提出了一种新的带时钟控制的SBNS(C-SBNS)方法能够更好的读取负阈值电压区域的cell。

下图显示了Source端相对传统方法最多可以提高CLK1 down + CLK2 up 的电压。

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3D NAND 在进入QLC之后如果继续沿用TLC时代的Full Sequence programing method 会遇到program disturb 和 initial charge loss等问题。2D NAND 的QLC采用的two-step programming method可以得到较好的Vt分布,但是会降低program 的速度。

东芝提出了一种新的 two-step programming method。这种新的方法具有较快的速度和较好Vt分布。第一步先把WLn的Vt分布打成8个粗略的包,再把WLn+1的Vt打成8个包,然后回过头来把WLn的Vt打成16个状态。这种新方法和相对传统的two-step programming method 相比BER(Bit Error Rate)接近,而速度快了18%。

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读取一个QLC的cell的存储的状态需要WL电压改变15次,WL电压的建立时间对读的影响很大。注意到WL电压的提高值是随着cell 状态不断变化的,东芝提出了根据cell状态来调整过充电压来加速WL建立。这种优化的过充电压能够减少8%的WL平均建立时间。

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从总体上来说,3D NAND 从TLC到QLC存储密度可以增大33%,但是会遇到性能和可靠性的问题。一些NAND供应商为客户提供了在芯片内部同时采用QLC、TLC、SLC的策略,对数据可靠性要求高以及需要重复擦写的区域可以使用TLC甚至SLC。

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