NAND VT曲线

VT曲线

• VT曲线是CELL导通电压概率密度曲线
  CELL被编程到1个状态后，导通电压呈正太分布
  也可理解为注入到浮删电子数量呈正太分布
  因为量子效应，不可能精确控制每种状态，每次注入相同数量电子
  
  Q&A:

  • 为什么V_read不在波峰处呢？
    因为VT曲线是概率密度分布曲线，波峰两侧都有可能对应到该状态导通电压
    以波峰坐在位置为V_read，分布在左右两侧的电压就会得到不同结果

• 读取数据中心电压：正太分布之间波谷所在位置电压
  波谷所在位置，是CELL编程后，最不可能分布的电压位置

• VT曲线状态之间分布的越远，发生误判的概率越小

• 当CELL处于擦除状态时，可以把CELL当作一个普通MOS
  只需要在栅极加较小电压就能使MOS管导通
  当CELL处于编程状态时，就是把不同数量电子注入到了MOS浮删，从而在衬底到浮删之间形成一个电场，为了导通MOS管，需要在栅极加更大的电压克服这个衬底指向浮删的电场
  往浮删注入越多的电子，衬底到浮删形成的电场越强，导致需要在MOS栅极需要加更大电压才能导通
  所以往浮删注入不同数量的电子，CELL就处在不同的VT曲线状态
  通过判断CELL的导通电压，就可以知道CELL状态

• 每个编程状态分布是正太分布（normal distribution）
  写入数据后，CELL导通电压最集中分布在正太分布中心位置(波峰)
  实际上不可能控制得这么精确
  只是大部分导通电压都在波峰位置附近

• 对于1个CELL，多次编程，所有电压的集合，导通电压符合正太分布
  因为同一个CELL，多次编程到同一个状态，每次导通电压不可能控制到完全一致

• 正常读数据时，NAND会在CELL上加，正太分布波谷所在位置电压，然后通过电流检测，判断CELL状态

• 读数据出错时
  当使用正太分布波谷电压读到数据出错后
  使用read retry档位，使NAND读取电压偏离中心电压，尝试读回正确数据

• 当NAND质量较差或使用太久后

  • 1个CELL上，每个状态之间电压分布就会变矮变宽
    因为使用久后，电子行为更随机，更难控制
    导致每个状态分布重叠面积过大，不同状态导通电压交叉
    当在CELL上加理论READ电压，处于READ电压附件的两个编程状态都可能导致CELL导通，这样就不能区分CELL所处的状态，导致数据出错
  • 比如：读取1个WORD LINE上所有CELL
    • 当读取1个WORD LINE上数据时
      根据读取不同page
      给WORD LINE上所有CELL 在栅极同时加相同读取电压
    • 处于相同编程状态的CELL
      每个CELL上导通电压也不一致，有些CELL左偏，有些CELL右偏
    • 处于不同状态的CELL
      每个CELL处于不同编程状态(比如TLC有8个状态)
      • 正常情况下，编程到读取电压左边状态的CELL会导通，编程到读取电压右边状态的CELL不会导通
      • VT曲线左移
        如果当前CELL被编程到理论读取电压右边状态，理论上在CELL加上读取电压后，CELL不会导通。
        但是如果VT曲线左移较多，那么紧挨READ电压右边状态曲线就会和，READ电压产生交叉，此时若CELL小概率被编程到了正太分布的左边部分，那么小于READ电压部分的CELL就导通，导致把编程状态误判为，CELL处在READ电压左边状态
        
      • VT 曲线右移
        如果当前CELL被编程到理论读取电压左边的状态，理论上在CELL加上READ电压后，CELL就会导通。
        但是如果VT曲线右移较多，那么紧挨READ电压左边的状态曲线就会和，READ电压产生交叉，此时若CELL小概率被编程到了正太分布的右边部分，那么大于READ电压部分的CELL就不会导通，导致吧编程状态误判为，CELL出在READ电压右边状态
        
      • VT 曲线重合
        

• 低温写

  • 低温时，电子能量较低，发生量子隧传概率较低，浮删中捕获到的电子较少
    衬底到浮删电场较小，MOS栅极需要加的正向导通电场(电压)随之变小
    表现为低温下，V_read左移

• 高温写

  • 高温时，电子能量较高，发生量子隧传概率较高，浮删中捕获到的电子较多
    衬底到浮删电场较强，MOS栅极需要加的正向导通电场(电压)随之变大
    表现为高温下，V_read右移