本文详细探讨了NAND闪存中阈值电压（Vt）分布的重要性及其恶化原因，包括P/E循环增加、数据保留、编程/读取干扰和温度影响。同时阐述了如何通过Vt电压判断数据以及处理读取错误的方法。
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全文 2800 字， 内容摘要：
1 从NMOS Vt到FGNMOS Vt
2 Vt Distribution
3 Vt Distribution 恶化之源
3.1 P/E cycle increase
3.2 Data Retention
3.3 Program/Read Disturb
3.4 温度对 VT 的影响
4 由Vt 电压判断数据
4.1 正常读取数据
4.2 读数据出错处理
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