gddr6速率_业界首款第三代HBM2E内存即将量产，传输速率高达3.2Gbps

与非网 2 月 6 日讯，三星宣布推出业界首款第三代 HBM2E内存，新的HBM2E 内存由 8 颗 16Gb 的DRAM 颗粒堆叠而成，单个封装可以达到 16GB 的总容量，并且其拥有高达 3.2Gbps 的传输速率。

三星的这款 HBM2E 中可以堆叠 8 个 1y nm 制程的 16Gb DRAM 颗粒，内部连接使用的是 TSV 技术，不过 8 层这个数量并不是三星目前能够做到的极限，在十月份的时候他们就已经宣布了 12 层 3D-TSV 封装工艺，我们未来肯定可以看到更大容量的单颗 HBM 内存。

HBM2E 是 HBM2 的升级版标准，由 JEDEC 在 2018 年标准化，官方标准中它的单颗堆叠带宽为 307GB/s。而三星这次推出的新 HBM2E 在带宽上面有比较明显的提升，在默认的 3.2Gbps 下，单颗 HBM2E 就可以提供高达 410GB/s 的带宽，另外三星内部测试中新的 HBM2E 可以达到的最高传输速率为 4.2Gbps，此时的带宽高达 538GB/s，比上代产品高出 75％。

实际上三星在去年三月份就已经发布了这款产品，不过这次是宣布它即将要进入量产。

新的 HBM2E 预计将于今年上半年进入量产环节，他们也会继续提供老的第二代产品。目前消费级显卡普遍放弃了高成本的 HBM 内存，选择了成本更低但带宽也足够用的 GDDR6，不过在高性能计算市场中，HBM 已经占据了很大的市场份额了，还有各种 AI 加速芯片也需要较高的内存带宽，像 NVIDIA 的计算卡就普遍采用了 HBM2 作为显存，新的 HBM2E 将会缓解内存方面的瓶颈，让计算性能不再受限于内存。