芯片老化验证流程_如何正确评估芯片的老化程度?

本文探讨5nm及以下制程芯片的老化验证问题,包括依赖的热老化测试、内置老化传感器的新方法,以及针对数据中心和汽车等领域的扩展可靠性需求。随着2D、2.5D和3D设计带来的散热和接口挑战,模型和分析也在不断发展,以应对工艺可变性和新出现的现象。目前,业界正努力开发标准化的老化模型以提升芯片的预测和自适应能力。
摘要由CSDN通过智能技术生成

5nm及以下制程的老化问题-第二部分

本文就5nm及以下制程的老化问题进行进一步说明。

监视和测试

行业方法正在多层次变化。埃森哲全球半导体业务负责人Syed Alam表示:“为了正确评估芯片的老化程度,制造商依靠了一种称为老化测试的功能,即对晶圆进行人工老化以对其进行熟化,然后再对其进行可靠性测试。” 。“热是芯片老化的主要因素,其使用时间紧随其后,尤其是闪存,因为驱动器上只有这么多的可重写空间。”

这仍然是许多人依赖的技术。Fraunhofer的Lange说:“ AEC-Q100是汽车电子的重要标准,它包含的多项测试不能揭示真实的可靠性信息。” “例如,在高温工作寿命(HTOL)测试中,必须对3×77器件在应力前后进行1000小时的功能测试。即使所有设备通过测试,您也无法确定它们是否会在1001小时后失效,或者使用寿命会延长10倍。这些信息只能通过扩展测试或模拟获得。”

一个新兴的替代方案是在芯片中内置老化传感器。Arteris IP的Shuler说:“有些传感器通常包含一个定时环路,当电子绕过环路所需的时间更长时,它们会警告您。” “还有一个称为金丝雀单元的概念,与标准晶体管相比,它们的寿命过短。这可以告诉您老化正在影响芯片。您要做的是获取芯片即将失效的预测信息。在某些情况下,他们会从这些传感器中获取信息,将其从芯片上拿走,扔进大型数据库中,然后运行AI算法来尝试进行预测工作。”

数据中心和汽车等细分市场要求扩展可靠性。Moortec技术行销经理Richard McPartland表示:“提高可靠性的传统方法现在已得到新技术的补充,这些新技术可在任务模式下利用芯片监

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