芯片老化验证流程_IC老化测试

第一章测试座与老化座的区别

3

、

CSP

封装量产测试中存在的问题

如前所述，

CSP

封装芯片的量产测试采用类似晶圆测试的方法进行，但是两者的区别在于：晶圆的

测试

，探

针是扎在管芯的

PAD(

通常情况下为铝金属

)

上，而

CSP

封装的测试，探针是扎到

CSP

封装的锡球上。问题由此

产生，在晶圆测试中铝质的

PAD

对探针污染很小，测试过程中不需要经常对探针进行清洁(一般测试几百上

千颗进行在线清针一次即可)，而

CSP

封装的锡球对探针污染非常严重，特别是在空气中放置一段时间后，

加重了锡球的氧化，对探针的污染就更为严重，另外流过探针的电流大小也会直接影响探针和锡球之间的电气

接触。这样对探针的抗粘粘度及抗氧化能力要求很高，对于一般的探针，测试几十颗就需要对其进行清洁，否

则随着沾污越来越严重，会造成探针与锡球之间的接触电阻大到

2

欧姆以上(一般情况下在

0.5

欧姆以下)，从

而严重影响测试结果。对于本文所举实例而言，在负载电阻仅为

8.2

欧姆的情况下，这样测试得到的

VOP-P

及

PO

值仅为真实值的

8.2