集成电路老化--NBTI效应

NBTI（Negative Bias Temperature Instability）是指在负偏压下，晶体管的电流-电压特性随时间的变化。当晶体管处于负偏压状态时，电子从价带穿越禁带进入导带，形成电流。在这个过程中，电子与晶格中的原子发生碰撞，导致晶格振动加剧。随着时间的推移，这些碰撞会改变晶体管的电学特性，从而导致电流-电压特性发生变化，这种现象被称为NBTI。

NBTI 晶体管老化的主导因素之一，越先进的制程越容易受到该效应影响。有研究表明，在65nm以下，10年内电路由于NBTI效应引起的老化性能损失大约在15%-20%。

1.NBTI-PMOS

一般可以从以下参数描述mos管：

1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是MOS管模型的重要参数，用于描述当栅极电压低于阈值电压时，MOS管处于截止状态。

2. 饱和电流（Isat）：饱和电流是指当MOS管处于导通状态时，漏极到源极的电流达到稳定值。这个参数是用来描述MOS管的导通特性的。

3. 亚阈值斜率（Subthreshold Slope）：亚阈值斜率是指当MOS管处于亚阈值区域时，栅极电压与漏源电流之间的关系。该参数用于描述MOS管在低电压下的开关特性。

4. 输出电阻（Output Resistance）：输出电阻是指MOS管的输出端电压变化与输出电流变化之间的关系。该参数用于描述MOS管的驱动能力和电路的稳定性。

5. 电容参数：MOS管还涉及到一些电容参数，如输入电容、输出电容和反向传输电容等。这些参数用于描述MOS管的电容特性，对于高频应用和信号传输具有重要影响。

导通状态的pmos

mos管的老化效应是从通过这些参数随时间的变化进行描述

NBTI是一种作用于PMOS的老化效应，它会持续的升高pmos的Vt，减小跨导，降低驱动电流。当PMOS的阈值电压较高时，需要的栅极关断电压更高。这里设想理想的极限情况，当Vt随着NBTI效应上升为0时，意味着栅极电压需要需要大于等于源极电压才能关闭pmos，PMOS中栅极电压大于源极电压通常会导致损坏，这种参数状态的pmos是没有实际意义的，即此时的PMOS老化失效。

2.用CMOS反相器演示PMOS失效