vasp 真空能级 matlab,科学网—半导体异质结能带对齐介绍/Introduction about semiconductor band alignment - 张召富的博文...

作者：Zhang Zhaofu

以下是我阅读文献、结合自己的经验做的一些关于半导体异质结能带对齐的总结介绍，如果有任何不对，欢迎及时联系我做修改。希望转载注明源出处：http://blog.sciencenet.cn/blog-2686986-1172373.html

当半导体/半导体，或者绝缘体/半导体接触形成界面结构时,因为禁带宽度不同，在两侧材料的导带底和价带顶处会形成不连续的台阶，即能带台阶(band offset)，其中导带底处的能带台阶被称为导带台阶(conduction band offset, CBO)，价带顶处的能带台阶被称为价带台阶(valence band offset, VBO)。视能带对其情况不同，半导体异质结被分为三类：type-I, type-II,和type-III，其能带图如图1[1]：

图1 The three types of semiconductor heterojunctions organized by band alignment.

半导体能带对齐有重要意义。比如，对于电子器件来说，常用的为type-I band alignment,要求CBO/VBO大于1eV才能更有效的束缚电子/空穴，减小漏电[2]。type-II异质结在异质结光催化分解水领域，可以有效减小电子空穴对符合，提高光催化效率[3]。

界面两侧的能带对齐(band alignment)依赖于两侧材料的电荷转移。当异质结两侧无电荷转移时候，CBO是由异质结两侧材料的电子亲和势(electron affinity, EA)决定，被称为electron affinity model，又称为Anderson's rule[4]。在这个模型中，认为两侧真空能级持平，根据两侧材料的EA不同，得到两侧材料的CB位置，即CBO。根据材料的禁带宽度Eg数值，即可得到价带的相对关系，即VBO。另外的办法是采用一个外来的参考能级做参考标准，比如采取过渡金属杂质的高度局域化的d轨道能级来做参考标准[5]，或者采用材料中H的(+/-)能级来做参考标准[6]。

实际的界面中，通常存在电荷转移，形成界面dipole。界面dipole会调整band alignment,使得band alignment不再遵循electron affinity model。描述有电荷转移的异质结