phpfpm内存越来越高_内存时序越小越好,为什么DDR1到DDR4 时序值越来越高了?

本文介绍内存时序的概念及其四个关键参数:CL、tRCD、tRP和tRAS,并解释了如何通过CPUZ查看内存时序。文章还讨论了在不同频率下时序对性能的影响。

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内存参数中除了容量、频率外,一般还有一组由四个用破折号分割的数字串,这就是内存的时序。

1.如何查看内存时序

购买内存时,一般参数中都会标注内存的时序信息。

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使用中的内存可以用 CPUZ 进行查看。

CPUZ:https://www.cpuid.com/

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如图中的内存时序是 11-11-11-29

内存时序的四组数字分别对应的参数是:CL-tRCD-tRP-tRAS

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CL(CAS Latency)CAS延迟时间,从打开正确行的DRAM读取第一比特所需的周期数,它是内存的重要参数之一。

tRCD(RAS-to-CAS Delay)从行地址到列地址的延迟时间。

tRP(RAS Precharge Delay)行预充电时间。

tRAS(Row Active Delay)行活动时间。

和内存频率一样内存时序同样代表了内存的性能高低。

内存时序表示的是内存工作中的延迟时间,较小的数值意味着性能越快。

然鹅,从DDR1到DDR4 我们发现 CL 值越来越高。

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其实内存的绝对延迟需要将内存频率与时序进行计算,否则无法直接通过时序判断性能高低。

因为内存一个时钟周期内传输两次数据,将 CL 值乘以2,除以频率得到内存的绝对延迟(ns/纳秒)。

例如:

DDR3-1333 9-9-9-24:9*2/1333=13.5 ns

DDR4-2400 16-16-16-39: 16*2/2400=13.3 ns

通过计算可以看出,尽管 DDR4 的 CL 值更大,但由于更高的频率使 CL16 的绝对延迟比 CL9 的更低了。

较小的时序意味这更快的性能只在同等频率下成立。

抛开频率看时序并没有意义,而 CL 延迟的时间差距并不大,性能提升并不那么明显。

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