**关于DDR的个人总结**

这篇博客是作者关于DDR内存的个人总结,涵盖了DDR的更新换代、相关定义、硬件细节如颗粒结构、电平标准、ODT/VTT以及DDR的拓扑结构。内容包括DDR各代的频率变化、内存的核心频率、时钟频率与数据频率的关系,以及DDR4与DDR3的差异。还讨论了DDR颗粒的内部结构、SSTL电平标准、ODT技术的作用和DDR的拓扑选择对信号完整性的影响。
摘要由CSDN通过智能技术生成

说在前面

这篇文章是个人学习工作中关于DDR的总结,此处讲的DDR是指单片的DDR颗粒,不是指电脑的内存条,在这里分享只为自己总结和加深记忆,部分内容是从网络摘抄。如有不准确的地方,烦请指出,共同学习。

DDR的更新换代

目前DDR已经有5代,从DDR1~DDR5,DDR3个厂商已逐渐停产,DDR4逐步取代DDR3,有的手机厂商甚至已开始使用刚诞生没多久的DDR5。

相关定义

我们首先要把内存的核心频率、时钟频率和数据频率的定义以及之间的关系搞清楚。
核心频率:为内存Cell阵列(即内部电容)的刷新频率
时钟频率:I/O Buffer(输入/输出缓冲)的传输频率(I/O频率或工作频率)
等效频率:指数据传送的频率(即数据频率)
关系:
工作频率=核心频率×n/2;等效频率=工作频率×2(此处的2即DDR在上升下降沿都读写的原因);

DDR 核心频率M/Hz 预取n 时钟频率M/Hz 等效频率M/Hz 带宽
DDR 266 133 2 133 266
DDR2 533 133 4 266 533
DDR3 1066
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