vasp算表面吸附流程_VASP表面计算步骤小结

VASP

表面计算步骤小结(侯博士)

一、概述

vasp

“slab”

模型来模拟表面体系结构。

vasp

计算表面的大概步骤是:

材料体性质的计算;表面模型的构造;表面结构的优化;表面性质的计算。

二、分步介绍

1

、材料体性质计算:

本步是为了确定表面计算时所需的一些重要参数:

ENCUT

SIGMA

(

smearing

方法为

ISMEAR

1

0

时;

而通常表面体系结构优化时选择这种

smearing

方法)

、晶格参数。

<

>

在计算前,要明确:何种

PP

ENCUT

KPOINTS ;SIGMA;PREC;EX-CO

,这其实是准备

proper input files

a.

何种

PP

选择的

PP

能使计算得到的单个原子能量值在

1meV~10meV

之间。

[参见

P 21

所求得的单

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VASP是一种常用的第一性原理计算软件,可用于模拟各种材料的物理和化学性质,包括表面吸附。下面是利用VASP进行表面吸附计算的一般步骤和代码示例: 1. 准备模型 首先需要准备表面模型,在VASP中通常采用超胞模型,即将一个小的表面单元重复堆叠成一个大的超胞。可以使用VASP的POSCAR文件格式来描述超胞的结构,其中包括晶格常数、原子种类和坐标等信息。 2. 初步松弛 对于表面吸附计算,需要先进行初步的结构松弛,以确定表面的稳定结构。可以使用VASP的INCAR文件设置参数,如ISIF=2表示同时对晶格和原子位置进行优化,IBRION=2表示采用自洽赝势方法进行松弛。以下是一个简单的INCAR文件示例: ``` SYSTEM = surface_adsorption ISTART = 0 ICHARG = 2 ENCUT = 400 EDIFF = 1E-6 ISMEAR = 0 ISIF = 2 IBRION = 2 NSW = 100 POTIM = 0.2 ``` 3. 吸附分子构型生成 接下来需要生成吸附分子在表面上的构型。可以使用VASP的POSCAR文件描述吸附分子在表面上的位置和朝向等信息。通常需要对吸附分子进行初步的几何优化,以确定其在表面上的最稳定位置。 4. 吸附计算 利用VASP计算结果,可以得到吸附分子在表面上的能量。吸附能可以通过下式计算得到: ``` E_ads = E_surf+mol - E_surf - E_mol ``` 其中E_surf+mol是吸附后的表面-分子复合体的能量,E_surf和E_mol分别是表面和分子的能量。通过计算吸附能可以得到吸附过程的稳定性和动力学信息。可以使用VASP的OUTCAR文件获取表面和复合体的能量信息,然后计算吸附能。 以上只是表面吸附计算的大致步骤和代码示例,具体的计算方法和参数设置需要根据具体的模型和吸附分子进行调整。

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