vasp赝势文件_VASP表面吸附计算实例分析

本文主要为了记录在学习Vasp计算过程中如何设置INCAR中的一些参数，并不着重讲解其含义，详见可自行到vasp官网查阅。

其次关于建模部分也不做细致讨论，一般结构可从Materials Studio里自带的晶体数据库导出，或从三大数据库网站上下载:

1、Materaials Project网址：https://materialsproject.org/(强烈推荐，邮箱注册即可使用)

2、CCDC网址：https://www.ccdc.cam.ac.uk/

3、ISCD：http://www2.fiz-karlsruhe.de/icsd_home.html

一、表面吸附计算

这里以W(100)表面吸附CO分子为例，暂不做收敛性测试，主要为了记录一些参数的设定，计算流程如下：

1.对W晶胞进行结构优化

INCAR设置：

#### initial I/O ####SYSTEM = WISTART = 0 ICHARG = 2 LWAVE = .FALSE. #优化晶胞时，不开波函数，节省计算时间LCHARG = .FALSE. #优化晶胞时，不开电荷密度，节省计算时间#### Ele Relax 电子步#### ENCUT = 225 #截断动能根据相关文献或赝势确定，也可自己做收敛性测试ISMEAR = 1 #金属体系<