场效应管原理_场效应管在电路中的应用特性

场效应管(Field-Effect Transistor)也是一种具有PN结结构的半导体器件，简称FET, 它与三极管的不同之处在于它是电压控制器件。通过改变栅极的电压可以控制漏极和源极之间的电流，场效应管具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点，但容易被击穿。场效应管按其结构不同分为两大类，即绝缘栅型场效应管和结型场效应管。绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体材料制成，简称MOS管。M0S管按其工作状态可分 为增强型和耗尽型两种，每种类型按其导电沟道不同又分为N沟道和P沟道两种。结型场效应管按其导电沟道不同也分为N沟道和P沟道两种。下图所示结型场效应管和绝缘栅 型场效应管的实物外形。

1、场效应管的功能

场效应管通常用来制作低噪声高增益放大器，下图所示为场效应管电压放大的原理示意图。它与普通三极管的不同之处在于它是电压控制器件，而三极管是电流控制器件。

场效应管的功能与三极管相似，可用来制作信号放大器、振荡器等。由场效应管组成的放大器基本结构有三种，即共源极(S)放大器、共栅(G)放大器和共漏极(D)放大 器，如下图所示。