lna仿真ft

最新推荐文章于 2024-03-07 10:18:25 发布
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分类专栏： 笔记
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gm/cgs+cgd
可利用此公式 公式有些误差 与实际有些不符合
ac idc仿真
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dc仿真 打印噪声以及电流 spice参数 tox等
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假设负载电阻对噪声无影响 可仿真出mos管的噪声参数

weixin_40919364
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专栏目录
LNA仿真PDF
03-25
模拟电路LNA仿真操作流程，使用的是cadence公司的vutose
用cadenceSpectreRF仿真LNA、MIXER、VCO的详细教程，含原理图和库.rar
09-09
网上淘来的RF入门电路仿真，适合初学者。三个教程详细教你用cadence来仿真RF电路，每一个步骤都有详细说明，并附有截图、仿真结果的图形，真的是太详细。 vco_workshop[1].tar.gz (1.41 MB, 下载次数: 2997 ) mixer.zip (1.81 MB, 下载次数: 2685 ) lna_workshop[1].tar.gz (1.83 MB, 下载次数: 3547 ) 初学者 , 门电路 , 图形 , 网上
射频LNA仿真实验
05-08
关于LNA的一个简单的仿真实验，对于测量LNA（低噪声放大器）的相关参数进行了讲解和一些简单实验
基于ADS的LNA仿真与分析.pdf
10-17
主要展示用ADS如何仿真LNA低噪声放大器的方法，建议使用ADS2008去仿真。
低噪声放大器LNA设计步骤和ADS仿真
大音希声
01-26 4268
对于LNA来讲，Ic/Is和Vce/Vds的大小会影响它的增益、1dB压缩点、三阶交截点、噪声系数等，因此需要根据要求对电流和电压折衷考虑。这样的电路也有着稳定直流工作点的特性，当射极电阻上的电压比较大（一般与三极管的VBE接近）时其作用越明显。放大电路的 S 参数，稳定性，增益圆，噪声圆均可以通过 ADS 进行仿真，特别是在稳定性，增益与噪声的折中选择方面， ADS 仿真起着重要的作用。当然， ADS 仿真还包括最基本的直流仿真。在 ADS 中，可以添加等增益圆和等噪声圆的控件来对增益和噪声进行仿真。
FT与DFT关系的MATLAB仿真_FT与DFT关系的MATLAB仿真_
10-03
FT与DFT关系的MATLAB仿真，包含程序以及图像说明
Cadence环境下LNA仿真设置
07-07
对于输入端PORT的设定：设DC，sine都可以。但里面不要填任何值。尤其不能给定波形的频率，（给定幅值对其结果没影响，最好还是不要给）系统会自动给。
1.9GHz基站前端射频LNA仿真与实现研究
01-19
摘要：以E-pHEMT管实现基站接收机前端...关键词：截点 E-pHEMT 平衡结构 LNA 仿真 很多情况下，因为基站与移动设备不平衡连接的缘故，从基站到移动设备的信号强度和传输距离都要超过移动设备向基站的反向传输，并且由
LNA,PA,VCO,Mixer cadence 仿真设计实例
09-11
教你如何使用cadence仿真LNA（低噪声放大器）,PA（功率放大器）,VCO（压控振荡器）和Mixer（混频器），含整个设计实例工程文件
NMOS管仿真电路
11-12
NMOS管仿真电路proteus，认识最基本的电路
射频ic电路，以低噪声放大电路LNA为案例
最新发布
jihbnHnh的博客
03-07 752
综上所述，通过使用SP仿真方法对射频IC电路中的低噪声放大电路进行仿真分析，我们可以得到该电路的一些噪声指标参数。其中，低噪声放大电路（Low Noise Amplifier, LNA）是射频系统中的一个重要组成部分，它主要负责增益信号并尽量降低噪声指标，以确保射频信号在系统中传输过程中的稳定性和良好的信噪比。在仿真过程中，我们可以通过对LNA电路进行参数调整和优化，以达到所需的噪声指标。通过反复的参数调整和仿真分析，我们可以逐步优化LNA电路的性能，使其在射频系统中能够更好地工作。
2020-11-02
weixin_40919364的博客
11-02 98
在这里插入图片描述 ![ ```mermaid 在这里插入图片描述![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/20201102223502839.jpg?x-oss-process=image/watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L3dlaXhpbl80MDkxOTM2NA==,size_16,color_FFFFFF,t_70) ](https
LNA设计学习心得记录----MOS管的选取
weixin_40359668的博客
07-21 3208
LNA设计学习心得---MOS管的选取仿真
初始LNA经验分享
ccbirds
09-09 2615
博主以后会在射频方向上与大家分享和讨论，有不对之处欢迎指正。 本篇博文记录一下在做LNA的过程中遇到的一些问题和解决方法，希望可以帮助到大家。 1. LNA的电路拓扑 cascode结构射频LNA设计中使用比较多的结构之一，因为这种结构能够增加LNA的增益，降低噪声系数，同时增加输入级和输出级之间的隔离度，提高稳定性。 2. 偏置 本人采用BJT来做LNA，用到电流偏置，共射的管子可以使用电流镜来提供电流偏置，但是要注意电流的方向，cb_in连接到共射管子的基极。电流可以很精确的复制。 对于共基的管
ADS系列 – 低噪声放大器（LNA）模型下载安装及 LNA仿真设计
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白浪的博客
06-08 1万+
1.概述 低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）作为接收系统的第一个电路单元，它的性能直接影响着整个接收机的性能。低噪声放大器的功能是在保证产生最低的噪声前提下，将信号进行放大，以降低后续模块所产生的噪声对信号的影响。系统的噪声计算公式如下： 从上式可以看到，整个系统的噪声主要由第一级噪声决定，所以作为第一级的LNA，它的性能至关重要。 从低噪声放大器的字面意思可以知道，低噪声放大器既需要有低...
5.3LNA的拓扑结构
fightpanpan的博客
11-08 1786
5.3.1感性负载的共源极 1.感性负载的引入 首先，我们在5.2里研究的阻性负载的共源极有很多不足之处：①无法提供好的匹配；②输出节点的时间常数恶化了高频性能；③增益和供电电压之间的trade-off，因为供电电压会随着工艺进步而降低，这会让增益更低。（因为VRD会受限于VDD） 为了避免增益和供电电压之间的trade-off，我们将阻性负载换为感性负载（理想电感不消耗直流电压） 2.分析 求Zin： 可以利用这个式子，在某些频率下使得输入阻抗为50Ω。但是在另一些频率下，输入阻抗可能会变
模拟集成电路学习
羊藤枝的博客
09-27 3253
mos实现管高频与高增益为何相互矛盾？ 高频率： MOSFET的fT就是输出电流随着频率的升高而下降到等于输入电流时的频率。器件的跨导gm越大，输出的电流就越大，则输出电流随频率的下降也就越慢，从而截止频率就越大，即fT与gm有正比关系。 由于fT与gm的正比关系，就使得fT与饱和电压（VGS-VT）也有正比关系，从而高频率就要求较大的饱和电压，同时越小的沟道长度越有利于实现高频，从另一个角度来...
Gm/Id仿真（二）仿真
钢丝
01-15 3126
为了验证我们上面的理论，我们利用cadence软件进行仿真，这里采用版本比较低，但是依旧可以说明问题。 一、搭建原理图 以NMOS为例，将漏压Vdc设置为VDD/2=0.6V，NMOS管的栅极电压设置为变量VGS，MOS管的长度设置为变量L。 然后进行环境设置： 对我们的变量进行赋值，并且添加直流扫描。 设置好直流仿真以后，运行网表和仿真。 然后看一下我们管子的直流工作点 简单看一下我们现在仿真所得到的的参数 ...
LNA学习遇到的问题及解决——cadence virtuoso
qq_57058268的博客
11-05 1352
最近在跟着LNA Design Using SpectreRF手册进行学习的过程中，发现有个别仿真不能出结果或者仿真的结果与手册中的不一样。经过学习分析发现课题组网盘里的指导手册有些仿真设置没有给出，需要自己进行设置，但文档本身是没有错误的。首先在ADEL中，相比于第一个实验多出了变量“frf2”，这里不用管它，值设为0就行了。这个变量实在lab5中设置的，可能写这个文档的人是在所有的实验做完之后才进行编写的，这个变量没有删除。
LNA器件的Ft影响因素
06-07
LNA（低噪声放大器）器件的Ft指的是其截止频率（cut-off frequency），即在该频率以上，LNA器件的放大增益开始下降。LNA器件的Ft受以下因素的影响： 1. 晶体管特性：LNA器件中一般采用晶体管作为放大器件，晶体管的Ft是影响LNA器件Ft的最主要因素。Ft取决于晶体管的结构、材料、制造工艺等因素。 2. 阻抗匹配电路：LNA器件中的输入和输出端口需要与外部电路匹配，匹配电路的设计不当会影响LNA器件的Ft。 3. 温度：晶体管的特性随着温度的变化而变化，因此温度的变化也会影响LNA器件的Ft。 4. 电源电压：晶体管的特性也随着电源电压的变化而变化，因此电源电压的变化也会影响LNA器件的Ft。 5. 工作频率：不同的工作频率下，LNA器件的Ft也会有所不同。 综上所述，LNA器件的Ft受到多个因素的影响，因此在设计LNA器件时需要综合考虑这些因素，并进行优化设计，以实现更好的性能。
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