模拟集成电路学习

mos实现管高频与高增益为何相互矛盾？

高频率：

MOSFET的fT就是输出电流随着频率的升高而下降到等于输入电流时的频率。器件的跨导gm越大，输出的电流就越大，则输出电流随频率的下降也就越慢，从而截止频率就越大，即fT与gm有正比关系。

由于fT与gm的正比关系，就使得fT与饱和电压（VGS-VT）也有正比关系，从而高频率就要求较大的饱和电压，同时越小的沟道长度越有利于实现高频，从另一个角度来看，在大电流时，电子都是以饱和速度运动，因此沟道长度越小，速度越快。

高增益：

因为MOSFET的电压增益是在源-漏电流一定的情况下、输出电压VDS对栅-源电压VGS的微分，则饱和状态的电压增益Avsat将要求器件具有较小的饱和电压（VGS-VT）：

这是由于在IDsat一定时，饱和电压越低，饱和跨导就越大，故Avsat也就越大.